|
구 분 | 동부하이텍 | TSMC | Global Foundries | UMC | SMIC | |
---|---|---|---|---|---|---|
Foundry | 2014년 | 2% | 54% | 9% | 9% | 4% |
2013년 | 2% | 49% | 11% | 10% | 5% | |
2012년 | 2% | 46% | 11% | 10% | 5% |
(*) 시장조사기관 자료 기준 |
마. 신규사업 등의 내용 및 전망
회사는 Fab 특성에 맞게 Analog 응용분야에 주력함으로써 Specialty Foundry 분야의 선도기업 지위를 유지하기 위해 역량을 집중하고 있습니다.
또한 자사 Brand 사업은 Display Solution, Sensor Solution 및 TDDI(Touch+LDI),
TED(T-con+LDI)등 융복합 제품 확대로 미래 성장을 준비하고 있습니다.
바. 조직도
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조직도(20150630) |
2. 주요 제품, 서비스 등
가. 주요 제품 등의 현황
(단위 : 백만원) |
매출유형 | 품 목 | 구체적용도 | 주요상표등 | 매출액 |
---|---|---|---|---|
제품 (Wafer) | Fab System-LSI Wafer 외 | 신호처리용 Chip 제조용 Wafer 외 | Samsung, Mediatek, Texas Instruments 등 | 296,846 |
나. 주요 제품 등의 가격변동추이
(단위 : $) |
구 분 | 제63기 반기 | 제62기 | 제61기 | |
---|---|---|---|---|
Fabricated System-LSI Wafer (반도체) | ~0.13㎛ | 400~2,400 | 380~2,344 | 394 ~ 2,442 |
~0.18㎛ | 339~2,160 | 374~2,986 | 374 ~ 2,912 | |
~0.25㎛ | 399~998 | 399~1,050 | 413 ~ 1,050 | |
0.35㎛~ | 250~2,525 | 240~3,148 | 240 ~ 2,795 |
3. 주요 원재료에 관한 사항
가. 주요 원재료 등의 현황
(단위 : 백만원, %) |
매입유형 | 품 목 | 구체적용도 | 매입액 | 비 율 | 비 고 | |
---|---|---|---|---|---|---|
원재료 | Wafer | 공정용 Wafer | 양산공정용 | 29,223 | 42% | Siltron / Shin-Etsu 外 |
Chemical | 공정용 Chemical | 양산공정용 | 22,953 | 33% | 동우화인켐 外 | |
Gas | 공정용 Gas | 양산공정용 | 7,093 | 10% | OCI머티리얼즈 外 | |
Target | 공정용 Target | 양산공정용 | 1,467 | 2% | Nippon Mining 外 | |
Reticle | Photo Mask | 양산 및 개발용 | 6,632 | 9% | PKL / TPK 外 | |
부재료 | 기타 | 공정용부자재 | Line 소모품 | 2,520 | 4% | 한국닛또덴코 外 |
합 계 | 69,888 | 100% |
나. 주요 원재료 등의 가격변동추이
(단위 : $) |
구분 | 품목 | 제63기 반기 (Unit Price) | 제62기 (Unit Price) | 제61기 (Unit Price) | 비고 | |
---|---|---|---|---|---|---|
Wafer | 국내/수입 | 공정용 Wafer | $38.93 | $38.70 | $42.80 | 평균단가 산출 |
Chemical | 국내/수입 | Slurry Chemical 류 | $7.11 | $8.10 | $7.05 | |
국내/수입 | Wet Process Chemical | $1.06 | $1.10 | $1.20 | ||
Gas | 국내/수입 | 공정용 Gas | $936.40 | $857.40 | $889.86 |
(1) 산출기준
- 산출대상 : 반도체 FAB Process용 원ㆍ부재료 중 매입액 상위 선정품목
- 산출단위 : Wafer(Piece), Chemical(Liter, Gallon, Kg), Gas(Cyl)
- 산출방법 : 평균단가
(2) 주요 가격변동 원인
- 반도체 Wafer 및 Gas의 단가 인하, Slurry Chemical의 단가 인상
- 국내외 시장의 수급상황에 따른 가격 변동
(3) 가격변동 세부내역
- Wafer : 2분기에는 전체적으로 생산량이 증가하였으며 Polished 대비 가격이 높은 Epi Wafer 의 사용량이 증가 추세입니다. 공급사와의 전략적 Partner 관계를 유지하면서 하반기 안정적인 원재료 확보와 가격 안정을 위하여 대내외 시황과 업계 변화에 대하여 예의 주시하고 있습니다. 15년도 8인치 Wafer 시장은 전년 대비 약 5%의 성장이 예상되는 가운데 2분기에도 실수요가 증가하였습니다. 하반기에도 이러한 추세는 지속될 것으로 보이며 그에 따른 주요 공급사의 가격 인상 요구가 예상됩니다.
- Chemical :
1) IPA 구내 단가 Trend
2015년 1분기 대비 15년 2분기 단가는 1분기말(3월), 2분기초(4월) 국제유가 하락후 반등의 모습을 보이나 평균적으로는 약 8.7% 하락하는 Trend입니다
* IPA연동단가 = 전전월 ICIS평균시세(U$/kg)*원단위(1.04)+부대비용/월평균TTM
* 월 단위 IPA단가
15년 1월 | 15년 2월 | 15년 3월 | 15년 4월 | 15년 5월 | 15년 6월 |
\1,818 | \1,538 | \1,388 | \1,422 | \1,445 | \1,462 |
2) Ceria slurry 원재료(Ce-Carbonate 45~50%) 국제가 Trend
Ceria Slurry 단가의 주요 원재료인 Ce-Carbonate 45~50%의 2015년 반기 국제가는 2015년 1분기 대비 세계적인 불황을 반영하여 31% 하락하는 Trend 입니다.
15년 1월 | 15년 2월 | 15년 3월 | 15년 4월 | 15년 5월 | 15년 6월 |
$4,312 | $4,250 | $4,055 | $3,950 | $2,610 | $2,074 |
- Gas :
NF3, WF6 와 같은 주요 Process 가스들의 공급이 감소된 상황에서 최근 국내 반도채 팹 증설, 신규공정 도입에 따른 수요확대로 상반기 단가상승에 이어 하반기 역시 상승하고 있습니다. 레이저 가스로 사용되는 네온가스도 국제환경 악화에 따른 생산량 감소 및 IT업체 증설에 따른 사용량 증가 영향으로 지속적으로 단가가 상승하고 있습니다.
4. 생산 및 설비에 관한 사항
가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거
(1) 생산능력
(단위 : Wafer , 백만원) |
품 목 | 사업소 | 제63기 반기 | 제62기 | 제61기 | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|
수량 | 금액 | 수량 | 금액 | 수량 | 금액 | ||
Fabricated -LSI Wafer | 부천 Fab | 53,100 | - | 53,100 | - | 53,100 | - |
상우 Fab | 42,730 | - | 42,730 | - | 42,730 | - | |
소계 | 95,830 | - | 95,830 | - | 95,830 | - |
(*) 반도체 생산실적은 금액으로는 산출되지 않으며, 해당기간 동안 Shipping 된 Wafer 수량을 표시함. |
(2) 생산능력의 산출근거
(가) 산출기준 및 방법 등
① 산출기준
- 반도체 표준생산능력 : 부천 FAB 53,100 / (월), 상우 FAB 42,730 / (월)
② 산출방법
부문 (품목) | 산 출 방 법 | 평균가동시간 |
반도체 | Loading Capacity | 24 Hr(일) X 31Day(월) X 목표가동율(%) |
(나) 평균가동시간
- 상기 (가) 산출방법 등의 ② 산출방법 도표 참조하시기 바랍니다.
나. 생산실적 및 가동률
(1) 생산실적
(단위 : Wafer, 백만원 ) |
품 목 | 사업소 | 제63기 반기 | 제62기 연간 | 제61기 연간 | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|
수량 | 금액 | 수량 | 금액 | 수량 | 금액 | ||
Fabricated -LSI Wafer | 부천 Fab | 249,492 | - | 485,196 | - | 373,006 | - |
상우 Fab | 178,355 | - | 316,801 | - | 293,143 | - | |
합 계 | 427,847 | - | 801,997 | - | 666,149 | - |
(*) 반도체 생산실적은 금액으로는 산출되지 않으며, 해당기간 동안 Shipping 된 Wafer 수량을 표시함. |
(2) 당해 가동률
(단위 : 시간, %) |
사업소(사업부문) | 반기간가동가능시간 | 반기간실제가동시간 | 평균가동률 | |
---|---|---|---|---|
반도체 | 부천 Fab | 1,826,616 | 1,647,879 | 90.21% |
상우 Fab | 1,382,592 | 1,199,660 | 86.77% | |
합 계 | 3,209,208 | 2,847,538 | 88.73% |
* 산출기준은 아래와 같습니다.
① 평균 가동률 : Loading rate(%) = 1반기 Input 총량 ÷ 1반기 Capa 총량
② 1반기 가동가능시간 : In-Line MFG 장비 댓수 × 일 24시간 × 분기 생산일수
③ 1반기 실제가동시간 : 2015년 1반기간 가동 가능시간 × 평균 가동률
다. 생산설비의 현황 등
(1) 생산설비의 현황
[자산항목 : 토 지 ] | (단위 : 백만원 ) |
사업소 | 소유형태 | 소재지 | 구분 (㎡) | 기초장부가액 | 당기증감 | 당기상각 | 기말장부가액 | 비고 (공시지가) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
증가 | 감소 | ||||||||
반도체 | 자가 | 부천 | 93,816 | 179,478 | - | - | - | 179,478 | 157,550 |
반도체 | 자가 | 음성 | 430,706 | 29,523 | - | - | - | 29,523 | 15,203 |
반도체 | 자가 | 여주 | 6,519 | 578 | - | - | - | 578 | 332 |
합 계 | 531,041 | 209,579 | - | - | - | 209,579 | 173,085 |
[자산항목 : 건 물] | (단위 : 백만원) |
사업소 | 소유형태 | 소재지 | 구분 | 기초장부가액 | 당기증감 | 당기상각 | 기말장부가액 | 비고 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
증가 | 감소 | ||||||||
반도체 | 자가 | 부천 | - | 55,535 | - | 25 | 3,619 | 51,891 | - |
반도체 | 자가 | 음성 | - | 127,272 | - | 569 | 2,446 | 124,257 | - |
반도체 | 자가 | 여주 | - | 692 | - | - | 13 | 679 | - |
반도체 | 자가 | 성남 | - | 946 | - | - | 17 | 929 | - |
반도체 | 자가 | 용인 | - | 452 | - | - | 7 | 445 | - |
합 계 | - | 184,896 | - | 594 | 6,102 | 178,200 | - |
[자산항목 : 구축물] | (단위 : 백만원) |
사업소 | 소유형태 | 소재지 | 구분 | 기초장부가액 | 당기증감 | 당기상각 | 기말장부가액 | 비고 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
증가 | 감소 | ||||||||
반도체 | 자가 | 부천 | - | 1,589 | - | - | 218 | 1,371 | - |
반도체 | 자가 | 음성 | - | 12,571 | - | - | 1,028 | 11,543 | - |
반도체 | 자가 | 여주 | - | 1,264 | - | - | 96 | 1,168 | - |
합 계 | 15,424 | - | - | 1,342 | 14,082 | - |
[자산항목 : 기계장치] | (단위 : 백만원) |
사업소 | 소유형태 | 소재지 | 구분 | 기초장부가액 | 당기증감 | 당기상각 | 기말장부가액 | 비고 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
증가 | 감소 | ||||||||
반도체 | 자가 | 부천 | - | 52,148 | 3,498 | 296 | 8,893 | 46,457 | - |
반도체 | 자가 | 음성 | - | 84,625 | 6,380 | 18,295 | 72,710 | - | |
합 계 | - | 136,773 | 9,878 | 296 | 27,188 | 119,167 | - |
[자산항목 : 차량운반구] | (단위 : 백만원) |
사업소 | 소유형태 | 소재지 | 구분 | 기초장부가액 | 당기증감 | 당기상각 | 기말장부가액 | 비고 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
증가 | 감소 | ||||||||
반도체 | 자가 | 음성 | - | 14 | - | - | 3 | 11 | - |
합 계 | 14 | - | - | 3 | 11 | - |
[자산항목 : 비 품] | (단위 : 백만원) |
사업소 | 소유 형태 | 소재지 | 구분 | 기초장부가액 | 당기증감 | 당기상각 | 기말장부가액 | 비고 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
증가 | 감소 | ||||||||
반도체 | 자가 | 부천 | - | 2,529 | 196 | 540 | 2,185 | - | |
반도체 | 자가 | 음성 | - | 713 | 46 | 145 | 614 | - | |
종속회사(DBH USA) | 자가 | 미국 | - | 134 | 58 | 76 | - | ||
합 계 | - | 3,376 | 242 | 743 | 2,875 | - |
[자산항목 : 입목] | (단위 : 백만원) |
사업소 | 소유 형태 | 소재지 | 구분 | 기초장부가액 | 당기증감 | 당기상각 | 기말장부가액 | 비고 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
증가 | 감소 | ||||||||
반도체 | 자가 | 음성 | - | 1,040 | - | - | - | 1,040 | - |
합 계 | - | 1,040 | - | - | - | 1,040 | - |
(2) 설비의 신설ㆍ매입 계획 등
(가) 진행중인 투자
(단위 : 억원) |
사업 부문 | 구 분 | 투자기간 | 투자대상 자산 | 투자효과 | 연초투자 계획금액 | 당기 투자액 | 차년도 투자이월액 | 비 고 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
반도체 | 보완 | 2015.01.01- 2015.06.30 | 기계장치외 | 생산능력 보완증설 | 616 | 335 | - | capacity 보완 |
합 계 | 616 | 335 | - | - |
(나) 향후 투자계획
(단위 : 억원) |
사업 부문 | 계획 명칭 | 예상투자총액 | 연도별 예상투자액 | 투자효과 | 비고 | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
자산형태 | 금 액 | 제63기 | 제64기 | 제65기 | ||||
반도체 | 보완 | 기계장치외 | 미정 | 616 | 미정 | 미정 | capacity 보완 | - |
합 계 | 미정 | 616 | 미정 | 미정 | - | - |
* 당사는 향후 Capacity의 보완을 위한 투자가 있을 것으로 예상되나, 그 금액은 확정되지 않았습니다. |
5. 매출에 관한 사항
가. 매출실적
(단위 : 백만원) |
사업부문 | 매출유형 | 품 목 | 제63기 반기 | 제62기 | 제61기 | |
---|---|---|---|---|---|---|
반도체 | 제품, 서비스 | Wafer | 수 출 | 115,975 | 204,846 | 183,254 |
내 수 | 171,523 | 343,136 | 291,290 | |||
합 계 | 287,498 | 547,981 | 474,544 | |||
기타 | 기타 | - | 수 출 | 5,385 | 10,790 | 12,156 |
내 수 | 3,963 | 8,947 | 7,052 | |||
합 계 | 9,348 | 19,737 | 19,208 | |||
합계 | 수 출 | 121,360 | 215,636 | 195,410 | ||
내 수 | 175,486 | 352,082 | 298,342 | |||
합 계 | 296,846 | 567,718 | 493,752 |
나. 판매경로 및 판매방법 등
(1) 판매조직 ( ( )은 보고서 작성기준일 현재 인원임 )
- 파운드리영업본부:
마케팅( 21 ), 국내영업( 5 ), 해외영업( 9 ), 중국/ 대만지사( 9 ), 미국법인( 6 ), 일
본지사( 2 ), 유럽지사( 1 ), 영업관리( 11 )
- 브랜드사업본부:
영업1 ( 4 ), 영업2 ( 10 ), 마케팅( 7 ), 사업관리( 13 )
(2) 판매경로
- 대리점거래 : 일부 국내 및 중국 고객
- 직 거 래 : 일본, 유럽 고객 및 국내, 대만, 중국 일부 고객
- 해외법인을 통한 거래 : 미주고객
(3) 판매방법 및 조건
- 대리점 거래의 경우 주문서 입수 및 납품, 수금을 모두 대리점을 통해 진행하며
결재조건은 보통 60일이나, 고객과의 계약조건에 따라 다름
- 직거래의 경우 고객으로부터 직접 수주해 납품 및 수금을 진행하며 결제조건은 보통 60일이나 고객과의 계약 조건에 따라 다름
- 해외법인을 통한 거래는 주문서의 입수 및 납품, 수금을 모두 해외법인을 통해
진행하며, 결제조건은 보통 60일이나 고객과의 계약 조건에 따라 다름
(4) 판매전략
- Analog 제품 및 Mixed Signal 제품 위주의 Specialty Foundry 매출 확대
- 사업전략에 맞는 제품 Portfolio로의 빠른 전환을 통한 수익성 극대화
- 미국, 일본, 유럽, 중국 등 해외 거래처 확대 및 지역 특색에 맞는 제품 전략 수립,
Focusing
- 신제품 조기 개발 및 양산을 통한 적기 시장 진입 / 고객 만족도 향상
- 공정 감축, 원가절감 활동을 통한 수익성 제고
- Market Trend 상시파악 및 선행조치를 통한 고객확보 및 매출 극대화
6. 수주상황
(단위 : wafer, K$) |
품 목 | 수주일자 | 납 기 | 수주총액 | 기납품액 | 수주잔고 | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
수 량 | 금 액 | 수 량 | 금 액 | 수 량 | 금 액 | |||
Fabricated System -LSI Wafer | 1월~6월 | 제품에 따라 다르나 평균2개월 | 496,176 | 318,152 | 421,370 | 270,186 | 74,806 | 47,966 |
합 계 | 496,176 | 318,152 | 421,370 | 270,186 | 74,806 | 47,966 |
7. 시장위험과 관리
가. 재무위험관리
연결회사의 재무위험관리는 주로 시장위험(외환위험, 이자율위험 및 주가변동위험), 신용위험 및 유동성위험에 대해 전사 각 사업주체가 안정적이고 지속적으로 경영성과를 창출할 수 있도록 지원하고, 동시에 재무구조 개선 및 자금운영의 효율성 제고를 통하여 금융비용을 절감함으로써 사업의 원가경쟁력 제고에 기여하는데 그 목적이 있습니다.
재무위험관리 활동은 자금팀에서 주관하고 있으며 각 사업주체와 긴밀한 협조 하에 전사 통합적인 관점에서 재무위험 관리정책 수립 및 재무위험 식별, 평가, 헷지 등의 실행활동을 수행하고 있습니다.
또한, 매년 정기적으로 재무위험관리정책의 재정비, 재무위험모니터링 등을 통해 재무위험으로부터 발생할 수 있는 영향을 최소화하는데 주력하고 있습니다.
연결회사의 재무위험관리의 주요 대상인 금융자산은 현금 및 현금성자산, 단기금융자산, 매도가능금융자산, 매출채권 및 기타채권 등으로 구성되어 있으며, 금융부채는 매입채무, 차입금, 회사채 및 기타채무 등으로 구성되어 있습니다.
중간 연결재무제표는 연차재무제표에서 요구되는 모든 재무위험관리와 공시사항을 포함하지 않으므로 2014년 12월 31일의 연차재무제표를 참고하시기 바랍니다.
연결회사의 위험관리부서 및 기타 위험관리정책에는 전기말 이후 중요한 변동사항이없습니다.
(1) 시장위험
1) 외환위험
연결회사는 전세계적으로 영업활동을 영위하고 있어 다양한 통화로부터의 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 연결회사가 노출되어 있는 주요 통화는 미국달러이며, 기타의 통화로는 유로, 일본 엔 등이 있습니다. 연결회사의 외환위험 관리의 목표는 환율 변동으로 인한 불확실성과 손익변동을 최소화함으로써 기업의 가치를 극대화하는데 있습니다.
연결회사의 외환위험 관리는 Hedge Policy에 의해서 이루어지고 있으며, Hegde Policy는 환관리 철학 및 전략, Exposure의 개념, Hedge 기간, Hedge 비율의 산정 등을 규정하고 있습니다.
연결회사는 Matching을 통한 Exposure 축소 및 Leading & Lagging을 우선적으로 실행하여 외환위험을 축소하고, 잔여 Exposure에 대해서는 Hedge Policy에 따라 선물환 등 파생상품을 통해 헷지를 하고 있습니다. 또한 투기적 목적의 외환관리는 엄격히 금하고 있습니다.
환율변동과 연관성이 높은 요인들(Risk Index, 내재변동성, Market View)을 고려하여 Hedge 비율을 산정하고 있으며, 매월 회사는 환 Exposure 변동사항 및 Hedge 결과를 점검하고 있습니다.
2) 이자율 위험
이자율 위험은 미래 시장이자율 변동에 따라 예금 또는 차입금 등에서 발생하는 이자수익 및 이자비용이 변동될 위험으로서 이는 주로 변동금리부 조건의 차입금과 예금에서 발생하고 있습니다.
연결회사의 이자율위험관리 목표는 이자율 변동으로 인한 불확실성과 순이자비용의 최소화를 추구함으로써 기업의 가치를 극대화하는데 있습니다. 이를 위해 근본적으로 내부 자금 공유 확대를 통한 외부차입의 최소화, 고금리 차입금 감축, 장/단기 차입구조개선, 고정 대 변동이자 차입조건의 적정비율 유지, 주간/월간 단위의 국내외 금리동향 모니터링 실시 및 대응방안 수립 등을 통해 선제적으로이자율 위험을 관리하고 있습니다.
연결회사는 보고기간말 현재 순차입금 상태로 이자율 상승에 따라 순이자 비용이 증가할 위험에 일부 노출되어 있으나, 내부적으로 변동금리부 조건의 단기차입금과 예금을 적절히 운영함으로써 이자율 변동에 따른 위험을 최소화하고 있습니다.
(2) 신용위험
연결회사는 신용위험을 관리하기 위하여 일관된 전사신용정책을 운영하고 있습니다.
전사신용정책은 신속한 의사결정 지원 및 채권 안전장치 마련을 통한 손실 최소화를 목적으로 운영되고 있으며, 고객과 거래상대방의 재무상태와 과거 경험 및 기타 요소들을 고려하여 주기적으로 재무신용도를 평가하고 있으며 고객과 거래상대방 각각에대한 신용한도를 설정, 관리하고 있습니다.
이러한 신용정책 상의 평가기준에 의거하여 신용여신의 적정 한도가 산출되며 기 설정된 내부의 재량권 및 절차에 따라 엄격하게 집행됩니다.
신용위험은 금융기관과의 거래에서도 발생할 수 있으며 해당거래는 현금성자산, 각종 예금 그리고 파생금융상품 등의 금융상품 거래를 포함합니다. 이러한 위험을 줄이기 위해, 회사는 국제 신용등급이 높은 은행들(S&P A등급 이상)에 대해서만 거래를 하는 것을 원칙으로 하고 있습니다.
(3) 유동성 위험
유동성위험은 회사의 경영환경 또는 금융시장의 악화로 인해 회사가 부담하고 있는 단기 채무를 적기에 이행하지 못할 위험으로 정의합니다.
연결회사는 유동성위험을 선제적으로 관리하기 위해 현금흐름 및 유동성 계획 등에 대해 주기적으로 예측하고 이에 따른 대응방안을 수립하고 있습니다.
또한, 적정규모의 예금을 보유함으로써 향후 발생 가능한 자금경색에 따른 유동성 위험에 대처하고 있습니다. 보고기간말 현재 유동자산 중 현금 및 현금성자산과 금융기
관예치금의 보유규모와 1년 이내에 만기 도래하는 유동성 차입금 총액은 연결기준으로 아래와 같습니다.
구분 | 당반기말 | 전기말 |
---|---|---|
현금성자산 및 유동성 금융기관 예치금 | 55,210 | 44,055 |
1년 이내 만기도래하는 차입금(*1) | 113,380 | 58,362 |
(*1) 상기 1년 이내 만기도래하는 차입금에는 신디케이트론 상환금액으로 자구이행에 따른 추정 매각 대금을 포함되지 아니하였습니다. |
회사는 국내신용평가기관인 한국기업평가(주), 한국신용평가(주) 및 한신정평가 (주)로부터 각각 BBB- Stable(전기말 : BBB- Stable) 투자적격등급을 부여받고 있어 국내 금융시장을 통해 적기에 자금조달이 가능합니다.
한편, 보고기간말 현재 차입금 등의 연도별 상환계획은 다음과 같습니다.
(단위:백만원) |
구분 | 장기차입금 | 일반차입금 | 장기미지급금 | 교환사채 | 총합계 |
---|---|---|---|---|---|
~3개월 | - | 8,584 | - | - | 8,584 |
~12개월 | 50,363 | 3,618 | - | - | 53,981 |
~24개월 | 141,111 | - | - | - | 141,111 |
24개월 초과 | 425,170 | - | - | 1,700 | 426,894 |
합계 | 616,644 | 12,202 | 0 | 1,700 | 630,546 |
(*) 상기 금액은 채무의 원금만을 표시하였으며, 이와 관련하여 Syndicate 대출 자구이행 약정에 의해 유동성 으로 분류된 차입금에 대해서도 원래의 상환스케줄에 따라 상환계획을 표시하였습니다. |
나. 자본위험관리
연결회사의 자본위험관리는 건전한 자본구조의 유지를 통한 주주이익의 극대화를 목적으로 하고 있으며, 최적 자본구조 달성을 위해 부채비율, 순차입금비율 등의 재무비율을 매월 모니터링하여 필요한 경우 적절한 재무구조 개선방안을 실행하고 있습니다.
8. 연구개발활동
가. 연구개발활동의 개요
(1) 연구개발 담당조직
조직명 | 담당조직 | 주요업무 |
기술개발실 | 공정개발 5개팀 TE(Technology Enabling) | Analog & Power Technology 개발 CMOS Image sensor Technology 개발 Mixed Signal Technology 개발 sFlash/ eFlash Technology 개발 LDI Technology 개발 RF, MEMS, SJ MOSFET Technology 개발, IP/ Library/ EDA Tool 개발 |
Brand 사업본부 | Display제품개발1개팀 (7개파트) 연구소(4개파트) | LCD Driver IC (Large/ Medium/ Small) 개발 고객지원(응용기술) |
(2) 연구개발비용
(단위 : 천원) |
과 목 | 제63기 반기 | 제62기 | 제61기 | 비 고 | |
---|---|---|---|---|---|
원 재 료 비 | 3,631,892 | 3,819,003 | 4,481,242 | - | |
인 건 비 | 12,030,859 | 25,246,187 | 25,662,643 | - | |
감 가 상 각 비 | 1,439,291 | 3,691,491 | 6,531,637 | - | |
위 탁 용 역 비 | 5,588,229 | 11,825,512 | 12,934,890 | - | |
기 타 | 3,351,932 | 7,298,488 | 8,136,468 | - | |
연구개발비용 계 | 26,042,202 | 51,880,681 | 57,746,880 | - | |
회계처리 | 판매비와 관리비 | 22,546,216 | 41,994,560 | 47,428,782 | - |
제조경비 | 0 | 0 | 0 | - | |
개발비(무형자산) | 3,495,986 | 9,886,121 | 10,318,098 | - | |
연구개발비 / 매출액 비율 [연구개발비용계÷당기매출액×100] | 8.77% | 9.14% | 11.70% | - |
나. 연구개발 실적
회사의 최근 5년간 연구개발 실적은 아래와 같습니다.
연구과제 | 연구결과 및 기대효과 |
0.25um SONOS 공정개발 | SONOS NVM 제품공정기술 |
0.18um 90% Shrink Logic 공정개발 | High Performance Logic 제품공정기술 |
0.18um Standalone Flash 공정개발 | CMOS Standalone Flash 제품공정기술 |
0.4um Power MOSFET 공정개발 | High Voltage, High Power 제품공정기술 |
0.3um LDI 공정개발 | High Voltage, High Power 제품 |
0.25um Power Chip 공정개발 | Power Chip 제품공정기술 |
0.18um CMOS Image Sensor 공정개발 | CMOS Image Sensor 제품공정기술 |
0.15um CMOS Image Sensor 공정개발 | CMOS Image Sensor 제품공정기술 |
0.13um CMOS Image Sensor 공정개발 | CMOS Image Sensor 제품공정기술 |
0.13um Standalone Flash 공정개발 | CMOS Standalone Flash 제품공정기술 |
BD350 PDK 개발 | 0.35um BiCMOS용 PDK |
0.18um 95% Shrink Standalone Flash | CMOS Standalone Flash 제품공정기술 |
0.18um LDI제품개발 | High Voltage, High Power 제품 공정기술 |
0.15um SRAM 공정개발 | SRAM 제품공정기술 |
0.13um LDI 공정개발 | High Voltage, High Power 제품 공정기술 |
0.11um Logic 공정개발 | High Performance Logic 제품공정기술 |
RF130 PDK 개발 | 0.13um RF용 PDK |
0.18um 85% Shrink Logic 공정개발 | High Performance Logic 제품공정기술 |
0.3um LCD공정 개발 | 0.3um LCD 공정개발 차별화 |
0.18um LDI 공정개발 | 0.18um LCD 공정개발 |
85V BCD 공정개발 | 0.35um Bipolar CMOS DMOS |
130nm DAC/ADC 개발 | 0.13um Generic Logic (Al) 공정기술 |
0.18um 700MHz PLL 개발 | 0.18um Generic Logic 제품 PLL |
Oxide Micro Lens 개발 | CMOS Image Sensor Option 공정개발 |
30V/60V pLDMOS 개발 | 0.35um 30V/60V pLDMOS공정 Foundry |
45n이하 구리 배선용 TaN 확산방지막 개발 | 반도체 소자 신뢰도 향상, 공정조건최적화 |
LCD Driver IC 개발 | LDI 특화 공정 |
0.18um BCD 공정개발 | Power 제품 공정개발 |
0.11um CMOS Image Sensor 공정개발 | CMOS Image Sensor 제품공정기술 |
0.13um RF CMOS 공정개발 | RF 제품 공정기술 |
0.35um 40V Gate 공정개발 | 0.35um급 Display 제품 공정기술 |
0.30um 13.5V Source 공정개발 | 0.3um급 Display 제품 공정기술 |
0.18um 13.5V /18V Source 공정개발 | 0.18um급 Display 제품 공정기술 |
0.35um 5.5V/20V BCD 개발 | 0.35um급 전력반도체 공정 개발 |
0.13um LDI 1.5/5.5/20V | 0.13um급 LCD Driver IC 제품 공정 개발 |
0.30um Mixed Signal 공정 개발 | Mixed Signal 제품 공정 개발 |
0.18um 6bit Source Driver 제품 개발 | 0.18um급 Display 제품 공정 개발 |
0.18um Mixed Signal 공정 개발 | Mixed Signal 제품 공정 개발 |
0.18um 5.0V Low 1/f Noise 소자 개발 | 0.18um급 Logic 제품 공정기술 |
0.16um 1.8/18V Half Vdd 공정 개발 | 0.16um급 Display 제품 공정 개발 |
0.18um 3.3/13.5V Half Vdd 공정개발 | 0.18um급 Display 제품 공정 개발 |
0.35um Low Vgs LDMOS 공정 개발 | 0.35um급 전력반도체 공정 개발 |
0.11um FCT Hybrid 공정 개발 | 0.11um급 Logic 제품 공정기술 |
0.11um 1.2/30V LDI 공정 개발 | 0.11um급 LCD Driver IC 제품 공정 개발 |
0.16um 1.8/9V Half Vdd 공정 개발 | 0.16um급 Display 제품 공정 개발 |
0.18um 1.8/30V HV CMOS 공정개발 | 0.18um급 전력반도체 공정 개발 |
VGA급 CMOS Image Sensor IC 개발 | VGA급 CMOS Image Sensor IC 제품 개발 |
0.18um 30V BCD 공정 개발 | 0.18um급 전력반도체 공정 개발 |
0.16um 1.8/13V LDI 공정개발 | 0.16um급 Display 제품 공정 개발 |
0.11um DDI sDTRAM 공정개발 | 0.11um급 LCD Driver 제품 sDTRAM 공정 개발 |
0.13um Embedded Flash 공정 개발 | 0.13um Embedded Flash 공정 개발 |
1.4um Pixel CIS 공정 개발 | 110nm CMOS Image Sensor Upgrade 공정개발 |
0.11um Cu UTM 공정개발 | 0.11um급 Mixed Signal 공정개발 |
0.18um HP CMOS 개발 | 0.18um급 High Performance CMOS 공정기술 |
0.18um 40V~60V BCD 개발 | 0.18um급 BCD 공정기술 확대 |
Low Cost BD350 공정개발 | 0.35um급 Low Cost BCD 공정개발 |
700V 조명용 Non-EPI | 0.35um급 BCD 공정기술 확대 |
0.11um Mixed Signal Noise 개선 공정 | 0.11um급 Mixed Signal 공정기술 확대 |
0.16um 1.8/20V LDI 공정개발 (Fab2) | 0.16um급 Display 제품 공정 개발 |
0.13um BCDMOS Low Voltage 공정개발 (Fab2) | 0.13um Bipolar CMOS DMOS (Mobile향) |
0.11um Light Guide CIS 공정개발 (Fab2) | 0.11um급 Smartphone CIS 공정개발 |
0.11um 1.8/9V 공정개발 (Fab2) | 0.11um급 Smart LDI 공정개발 |
0.11um급 Tablet향 LDI 공정개발 | 0.11um급 Smart LDI 공정기술 확대 |
0.11um급 BCDMOS Low Voltage 공정개발 (Fab2) | 0.11um Bipolar CMOS DMOS (TV향) |
0.18um급 BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발 (Fab1) | 0.18um급 BCDMOS 스마트폰 PMIC 공정개발 |
0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발 (Fab1) | 0.15um급 스마트폰 PMIC 공정개발 |
0.11um급 1.2/5V CMOS 공정개발 (Fab2) | 0.11um급 스마트폰 Audio IC 공정개발 |
90nm CIS 기술개발 (Fab2) | 90nm Mobile 고화소 CIS 기술개발 |
0.15um급 LDI 공정개발 (Fab1) | LDI 공정 개발(FHD/ UHD TV향) |
0.18um BCDMOS Medium Voltage 공정개발 (Fab1) | 0.18um급 BCDMOS Panel power bias IC 공정개발 |
9. 그 밖의 투자의사결정에 필요한 사항
가. 상표 또는 고객관리에 관한 중요한 정책
회사는 대형고객에 대한 제품공급을 늘리고 스마트폰 및 태블릿 기기용 전력반도체,센서 등 부가가치가 높은 고수익 특화 제품중심의 파운드리 사업 비중을 지속적으로 늘려가고 있습니다. 특히 급격히 성장하고 있는 중국 스마트폰 및 대만 IT기기향 시스템반도체 공급물량을 늘려나가며 거대 IT 시장에 안착했으며, 일본 시스템반도체 시장에도 성공적으로 진출해 전력관리칩 등 다양한 아날로그반도체를 공급하고 있습니다.
최근에는 시장이 급격히 성장하고 있는 스마트폰 무선충전칩과 핀테크칩 양산을 본격적으로 시작했으며, 웨어러블 및 사물인터넷(IoT)용 초저전력 반도체와 센서용 제조공정기술을 개발해 아날로그반도체 선두기업 프로모션에 적극 나서고 있습니다.
브랜드 제품 비즈니스는 국내 대형 고객을 중심으로 지속적인 디스플레이 구동칩과 이미지센서 공급물량 확대를 통해 안정적으로 성장하고 있습니다. 향후 스마트폰 및 태블릿 등 모바일 기기로 제품 포트폴리오를 확장시키는 동시에, 터치스크린칩 및 UHD TV칩 등 시장이 크고 부가가치가 높은 제품물량을 늘리고 해외 대형 고객을 발굴함으로써 지속적인 매출 성장과 함께 수익성 개선을 이뤄나갈 것입니다.
회사는 칩 크기를 최소화하고 저전력 기술 등 다양한 부가기능을 추가해 경쟁력을 높이고 있으며, 원칩(One Chip) 등의 융복합 솔루션 등 고효율 제품을 개발해 공급함으로써 디스플레이 구동칩 시장에서 차별화된 위치를 확보하고 있습니다.
또한 차별화된 고부가가치 공정기술과 제품개발에 역량을 집중할 계획이며, 생산능력도 획기적으로 늘려 견고한 성장발판을 만들어 갈 예정입니다.
한편 회사는 세계적인 반도체 설계자산 회사들과 전략적 제휴를 맺고 PDK, IP, Library, MPW서비스 등 세계 최고 수준의 설계자원을 적극 지원하며 고객의 다양한 요구 사항을 완벽하게 처리할 수 있는 최상의 설계 환경을 갖추고 있습니다.
또한 고객의 니즈에 따라 웨이퍼 가공뿐만 아니라 설계 지원, 테스트, 패키지, 모듈 제작 등 모든 서비스를 한번에 지원하는 원스톱 턴키(Turnkey) 서비스를 제공하고 있으며, 'Your Fab' 시스템을 운영하여 고객이 언제 어디에서든지 반도체의 가공 공정 진행 상황을 실시간으로 점검할 수 있도록 지원하고 있습니다.
나. 사업과 관련된 중요한 지적재산권(특허권) 등
회사가 영위하는 사업과 관련하여 중요한 특허권의 내역은 다음과 같습니다.
출원번호 | 등록번호 | 등록일 | 발명의 명칭 | 발명의 요약 |
---|---|---|---|---|
10-2008-0138873 | 10-1510481 | 2015-04-02 | 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법 | 본 발명은 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 플래시 메모리 소자는, 반도체 기판 상에 형성된 플로팅 게이트, 상기 플로팅 게이트의 일 측벽에 자가 정렬된(self aligned) 셀렉트 게이트 및 상기 플로팅 게이트와 상기 셀렉트 게이트 사이에 형성된 ONO 패턴를 포함한다. 실시예는 스플릿 게이트 구조를 채용하는 ETOX(EEPROM tunnel oxide)셀 플래시 메모리 소자에서, 자가 정렬된 스플릿 게이트 구조를 형성함으로써 셀 커런트가 일정하고 셀간 소거 특성이 균일하여 신뢰성이 향상되는 효과가 있다 |
10-2013-0100225 | 10-1522532 | 2015-05-18 | 터치 패널을 구동하는 방법 | 본 발명은 드라이빙 라인들, 센싱 라인들, 및 이웃하는 드라이빙 라인과 센싱 라인 사이에 형성되는 노드 커패시터를 포함하는 터치 패널에 있어서, 상기 드라이빙 라인들 중 이웃하는 2개씩을 선택하여 구동 순서에 따라서 순차적으로 배열되는 복수의 페어들을 형성하고, 상기 복수의 페어들 각각은 한 구간 동안 서로 반대 위상의 드라이빙 신호로 구동하도록 설정되는 페어링 단계, 적어도 하나의 이웃하는 2개의 페어들이 서로 다른 드라이빙 라인들을 포함하도록 상기 복수의 페어들의 위치를 셔플링하는 단계, 서로 다른 드라이빙 라인들을 포함하는 2개의 셔플링된 페어들을 선택하여 하나의 그룹으로 묶음으로써 복수의 그룹들을 생성하고, 상기 복수의 그룹들 각각에 속하는 2개의 페어들에 기초하여 아다마르 코드들을 생성하는 단계, 및 상기 생성된 아다마르 코드들 각각에 포함되는 드라이빙 라인들을 동시에 구동하는 단계를 포함한다. |
10-2009-0135263 | 10-1531886 | 2015-06-22 | EEPROM 소자 | 본 발명의 실시 예에 따른 EEPROM 소자는 EEPROM 셀과, EEPROM 셀에 연결된 셀렉션 트랜지스터 및 상기 셀렉션 트랜지스터에 연결되고, 상기 EEPROM의 프로그램을 스위칭하는 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
10-2009-0000938 | 10-1531884 | 2015-06-22 | 수평형 디모스 트랜지스터 | 본 발명은 소스에서 드레인으로 원할한 전류흐름을 얻을 수 있는 수평형 디모스(LDMOS; Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor)트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 수평형 디모스 트랜지스터의 제조방법은 반도체 기판 내에 불순물 이온 주입을 통하여 드리프트 영역과 바디 영역을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판 상의 절연 산화막이 형성될 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 통하여 제 1 불순물 이온을 주입하여 상기 반도체 기판 내의 소정 위치에 제 1 불순물 영역을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판이 소정영역에 산화공정을 통해 절연 산화막 및 외부 절연 산화막을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판 위로 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극, 절연 산화막 및 외부 절연 산화막을 이온 주입 마스크로 이용하여 노출된 바디 영역 및 드리프트 영역 상에 소오스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
다. 법규, 정부규제에 관한 사항
"라." 항의 환경관련 사항을 참조하시기 바랍니다.
라. 환경 관련 사항
1) 녹색경영
당사는 녹색성장 기본법 발효(2010)에 따라 관리기업으로 지정되었으며 저탄소 녹색 성장 기본 법에 따라 3자 검증을 매년 수행하고 있습니다. 2010년 부천 사업장은 녹색 기업 최초 지정을 받았으며 2013년도에 재 지정을 받아 자발적 개선활동을 지속적으로 추진하고 있습니다.
(*) 상기 녹색기업과 관련한 온실가스 배출량 및 에너지 사용량에 관한 내용은 XI. 그 밖에 투자자 보호를 위하여 필요한 사항의 8항 '녹색경영' 부분을 참조하시기 바랍니다. |
2) 오염물질 배출 저감 활동
① 공정 변경, 원부자재 대체 등을 통해 오염물질 발생원에서부터 배출 저감
② 발생된 오염물질은 방지시설을 통해 법적 배출 허용기준보다 엄격한 사내 관리
기준으로 배출
③ 방지시설의 설비별 점검 목록에 따라 주기적으로 점검함으로써 최적 상태로
운영하고 있으며, 처리 효율을 검토하여 단계적으로 고효율 방지시설로 교체
3) 자원의 재활용
① 폐기물 발생량 감소 및 감량을 위해 제조 공정에서부터 폐기물 발생 최소화를
위한 활동 및 재활용 품목 지속적 발굴
② 발생되는 폐기물 재활용율 고도화 추진
4) 유해화학물질 관리
① 취급하는 유해화학물질의 입고에서부터 사용, 폐기 등 전 과정의 관리 및 모니
터링 실시
② 누출 사고 예방을 위해 저장 시설의 감지기 및 차단 장치, 방지턱, 비상시 사용
할 수 있는 보호구 등을 비치 운영
③ 유출사고 대비 주기적인 비상대응훈련 실시
5) 제품환경 규제 대응
① 전세계적인 제품에 대한 환경기준 및 규제 강화 정책에 따라 R&D 및 구매
단계에서부터 제품 내에 규제 물질이 기준농도 이상 함유되지 않도록 자재
구성 성분 조사 및 완제품 시험 분석 등을 실시
② 또한 오염 물질 배출 및 천연자원의 사용을 최소화하기 위한 친환경제품
제조 관리 시스템과 녹색 구매 시스템을 운영하고 있으며, Sony Green Partner
인증 취득 운영
6) 기타 환경보호 및 사회공헌 활동
- 회사는 기증, 기부, 무료 급식 봉사, 교육장학제도 등의 운영을 통해 지역사회에
기여하고 있으며, '1사 1하천 가꾸기' 및 '1사 1산 가꾸기' 등을 통해 지역 환경
정화 활동을 실천하고 있습니다.
당사의 저탄소녹색성장기본법 온실가스규제에 관한 내용은 "XI. 그 밖에 투자자 보호를 위하여 필요한 사항 8.녹색경영"을 참조하시기 바랍니다.
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