답이 없는 문제집 푸느나 힘들었는데... 아리송한게 많네요... 아시는 분 덧글 부탁 드립니다.
1. 진성 반도체 내에서의 캐리어의 농도는?
가. 열 평형 상태에서의 캐리어의 농도이다.
나. 페르미 준위가 0인 상태에서의 캐리어의 농도이다.
다. 규칙적인 열 운동 상태에서의 농도이다.
라. 절대온도 O[K]에서의 농도이다.
2. 다음중 반도체의 에너지 갭에 관한 설명으로 옳은 것은?
가. 온도가 상승하면 감소한다.
나. 온도가 상승하면 증가한다.
=> 온도 상승에 따라 저항률이 급격히 낮아진다. 이 성질은 온도 상승에 따라 저항률이 증가하는 금속 등 도체의 성질과는 상반되는 성질로, 반도체의 중요한 특성 중 하나이다.
3. 펄스 발생 소자로 성능이 가장 우수한 것은?
가. UJT
나. MOS FET
다. Thgristor
라. Varactor
4. 다음 중 실리콘 제어 정류기(SCR)의 동작 설명 중 틀린 것은?
가. gate 신호로는 Pulse가 쓰인다.
나. 순방향 전압의 상승이 빠르면 저절로 도동 상태가 된다.
다. 전류가 어느 기준 이하보다 작아지면 차단 상태가 된다.
라. 일단 도동 상태가 되면 gate전압을 0 또는 역으로 가해야만 차단 상태가 된다.
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