상온상압 초전도체(LK-99) 개발을 위한 고찰

[힘힘]

상온 초전도체 'LK-99' 개발자 첫 공개석상, 이석배 대표 초전도체 연구 사업 발표 풀영상

상온상압 초전도체(LK-99) 개발을 위한 고찰

한국결정성장학회지

약어 : J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol.

2023, vol.33, no.2, pp.61 - 70

DOI : 10.6111/JKCGCT.2023.33.2.061

발행기관 : 한국결정성장학회

연구분야 : 재료공학

Copyright © 한국결정성장학회

이석배1 ,  김지훈2 ,  임성연3 ,  안수민4 ,  권영완5 ,  오근호6

1(주)퀀텀에너지연구소

2(주)퀀텀에너지연구소

3(주)퀀텀에너지연구소

4(주)퀀텀에너지연구소

5고려대학교

6한양대학교

인용한 논문 수 :   -   서지 간략 보기

초록

이 논문에서는 기존의 초전도 현상을 바라보는 물리학자들의 생각의 흐름과 한계들을 살펴보고, 통계 열역학적 액체론의 관점에서 제시한 이론적 배경을 통해 상온 상압 초전도체가 개발될 수 있음을 약술하였다. 이것이 가능 할 방안은, 전자들이 돌아다닐 수 있는 상태수가 현저히 제한되는 1-Dimension에 가까운 전자 상태이어야 한다는 것과 그 상태에 있는 전자들이 액체적 특성이 나타날 수 있을 정도로 전자-전자 상호작용이 빈번한 상태이어야 한다는 것이다. 이러한 실행 예로서 우연한 기회에 실마리를 얻어 수많은 실험으로 구조를 밝혀낸 LK-99(본 연구에서 개발한 상온 상압 초전도체의 이름)의 개발 자료를 보고하며, 이에 세계 최초로 상압에서 임계온도가 97°C를 능가하는 초전도 물질의 특성과 발견에 대한 이론적, 실험적 근거를 요약하였다.

KCI_FI002955269.pdf

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상온, 상압 초전도 세라믹화합물 및 그 제조방법

추상적인

본 발명은 상온, 상압 초전도 세라믹화합물 및 그 제조 방법을 다룬다. 본 발명에 따르는 상온, 상압 초전도 세라믹화합물 및 그 제조방법은 1에 기인한 세라믹화합물을 포함하는 것을 특징으로 하며, <화학식 1> A 10-x B x (PO 4 ) 6 O ( A 는 Ca , Ba, Sr, Sn 또는 Pb, B는 Cu, Cd, Zn, Mn, Fe, Ni 또는 Ag, x는 0.1일 때 2.0)

분류

 C04B35/447 조성으로 특징지어지는 성형 세라믹 제품; 세라믹 조성물; 수산화인회석과 같은 인산염을 기반으로 하는 산화물 세라믹을 기반으로 하는 세라믹 제품의 제조에 필요한 무기 화합물의 가공 분말

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설명

상온, 상압 초전도 세라믹화합물 및 그 제조방법

본 발명은 상온, 상압 초전도 세라믹화합물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상온, 상압에서 초전도의 특징을 대표하는 초전도 세라믹화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.

현대는 전기, 전자의 시대로 불량울만큼 전자를 저비용 기술에 조금은 진보를 거듭해 왔습니다. 그 면적적인 측면은 발전, 송전, 배전에 기초한 전력의 공급에 맞고, 전력을 현대적으로 저장할 수 있는 매체인 일차전지, 이차전지 및 무선 전력 발전의 기술에 이르기까지 발전하여 전력의 상당량을 생산합니다. 원동력이 되었다.

그러나 최근에 대두된 환경, 에너지의 문제들에 대한 대안적 시간과 반도체의 로컬적화/ 고밀도화의 문제로 소형화된 저하의 문제 등을 해결하는 문제들은 항상 기존의 구리, 금과 같은 저저항 물질의 사용으로 해결해 오던 방식을 새로이 중복/해결할 물건을 찾아내어야만 데에까지 연장합니다.

그에 대한 접근으로 관심을 현금으로 받는 분야가 고온 초전도 분야이고, 1986년, 베드노르츠(Bednorz) 및 뮬러(Muller)가 고전적 기초인 BCS 기능의 청년 온도 도달 시간보다 더 높은 청년 온도(Tc)를 얻는 초전도성 당신의 새로운 부류를 발표하면서 생태 환경을 벗겨낸다 [Bednorz, et al, ZPhys B 64, 189 (1986)].

가장 중요한 것은 단추 제에 의해 분리된 산화구리 베드노르츠 및 뮬러의 원래 위쪽(LBCO)에서, 완충제 단추는 란타넘 바륨이다.

이 개체는 YBCO이고, 액체에 관한 정의의 비점(77K)을 지속하는 Tc를 얻는 최초의 초전도체이다 [Wu, et al, Phys Rev Lett 58, 908 (1987)]

그와 비슷한 전기를 되찾은 보고 중 최고의 전기 온도 상승은 155GPa의 압력에서 황화수소가 곧 203.5K로 가능하다. 자연 525, 73(2015).]

2020년에 상온에 육박하는 15℃의 젊은 온도를 주면 초전도 물질도 보고되든지 267GPa의 매우 높은 압력을 요구하고 있으며, 비례로 압력을 2021년에는 186GPa의 압력을 가했을 때 약 영하 5℃에서 초전도 권리를 보이는 것이 보고되더라도 이러한 방식으로 실생활에 적용하기에는 어려워 보인다(https://en.Wikipedia.org/wiki/ 상온_초전도체 ).

그 이유는 이러한 황화수소 리나, 이트륨 초수소화물의 발생 결과로 인해 학계에서도 상온 초전도체에 대한 기대가 큰 것이 사실이나, 267GPa나 186GPa는 대기압(1atm)의 약 이십만 배 내외에 해당하는 압력이거나, 로 환산하면 1cm 2 의 길이에 2700톤이 가 되기 때문에 이 자체 산업적으로 이용하기에는 거의 불가능하다고 볼 수 있다.

상온 뿐만 아니라 상압도 사용 가능한 초전도 실체의 개발이 필요하며, 이것은 황화수소나 이트륨 초수소화물 계열이 아닌, 다시 말해 고압이 필요하지 않거나 실질적으로 그 지위가 높아지면 산업 수준에 이용 가능성이 높아진다고 볼 수 있다 .

본자들은 기출원한 313K의 청년 온도를 오랫동안 상온 상압 초전도의 존재가 막을 수 있는 물체를 가지고 있는 바 모니터, 자신의 권리와 MAMMA 분석을 통해 초전도가 포함된 사실은 확인 청구, 포함된 것입니다. 최대한 빨리 초전도의 전기적 권리를 미흡하게 하거나 개선바 있다.

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상온, 상압에서 초전도 권리를 대표 초전도 세라믹 화합물을 제공하는 것이다.

또한 본 발명이 해결하고자 하는 두 번째 과제는 상온, 상압에서 초전도 권리를 대표하는 초전도 세라믹 화합의 LCD 제조 방법을 제공하는 것이다.

수리, 수리, 본 해결하고자 하는 작업은 상온, 상압에서 초전도 권리를 대표하는 초전도 세라믹 화합 목표 고상 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명은 1번째 결과를 해결하기 위해, 1개에 기인한 세라믹화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도성 세라믹화합물을 제공한다.

<화학식 1>

A 10-x B x (PO 4 ) 6 O

(A는 Ca, Ba, Sr, Sn 또는 Pb, B는 Cu, Cd, Zn, Mn, Fe, Ni 또는 Ag, x는 0.1 윗 2.0)

본 발명의 다른 설명에 따르면 상기 1의 A의 자리에 B가 있을 수 있다.

본 발명의 다른 설명에 따르면, 상기 B는 위치가 변경될 수 있다.

본 발명의 다른 설명에 따르면, 상기 B의 위치에 있는 도자기화 구조의 구조가 변형될 수 있다.

본 본 본의 발명 실시예 실시예에의하면, 상기 a와 a와 (po 4 ) 6 와의 사이에 초전 도양자우물 (SQW)이 생성 된 된 것 일 수있다.

본 명세서의 설명에 따르면, 상기 초전도양자우물(SQW) 사이는 3.7Å부터 6.5Å 인 것일 수 있다.

본 발명의 다른 설명에 따르면, 상기 초전도양자우물(SQW) 사이에서 터널링이 감상할 수 있다.

본 발명의 설명에 따르면, 상기 B의 위치에 따라 수직가 증가하여 열 용량을 줄이는 것이 가능하다.

본은 상기 두번째 과제를 해결하기위해

<화학식 1>

A 10-x B x (PO 4 ) 6 O

(A는 Ca, Ba, Sr, Sn 또는 Pb, B는 Cu, Cd, Zn, Mn, Fe, Ni 또는 Ag, x는 0.1 윗 2.0)

본 발명의 다른 예시에 따르면, 상기 신호는 응답 온도 550℃~2000℃인 것일 수 있다.

또 욱, 라나카이트(L, Lanarkite(Pb 2 SO 5 =PbO·PbSO 4 ))와 카퍼 포스파이드(Cu 3 P)를 반응시켜 1에 유발된 세라믹 화합물을 합성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도성 세라믹 화합 제조 방법을 제공한다.

<화학식 1>

A 10-x B x (PO 4 ) 6 O

(A는 Ca, Ba, Sr, Sn 또는 Pb, B는 Cu, Cd, Zn, Mn, Fe, Ni 또는 Ag, x는 0.1 윗 2.0)

본 발명의 다른 설명에 따르면, 상기 반응시 온도는 600℃ ~ 1000℃인 것일 수 있다.

본 발명의 다른 설명에 따르면, 상기 라나카이트는 PbO와 PbSO 4 를 청구에 따라 적량하고 혼합하여 가열하는 것일 수 있다.

본 발명의 다른 설명에 따르면, 상기 Cu 3 P의 합성은 Cu와 P를 보상비에 따라 적량하고 혼합하여 가열하는 것일 수 있다.

그림은 본 ​​발명의 제조방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 초전도성 세라믹 화합물을 제공한다.

본 발명의 다른 설명에 따르면, 상기 세라믹화합물은 온도 변화에 대해 자화율이 반자성을 나타내는 것일 수 있다.

본 발명의 다른 설명에 따르면, 상기 세라믹화합물은 자기장 변화에 따라 자화율이 자기장에 따라 반자성, 강자성을 나타내는 것일 수 있다.

본 발명의 다른 설명에 따르면, 상기 세라믹화합물은 온도 변화에 따라 전류-전압 특성이 옴의 법칙(V=I×R, V: 전압, I: 지금, R: 저항)을 지는지 아니하는 것( V≠I×R)일 수 있다.

본 발명의 설명에 따르면, 상기 세라믹화합물은 자기장 변화에 따라 전류-전압적 권리가 자기장에 따라 V=I×R이거나 V≠I×R인 것일 수 있다.

본 발명의 다른 설명에 따르면, 상기 세라믹화합 조건의 온도 변화에 따르는 저항-온도 방향이 전이온도를 지나 옴의 법칙을 따를 수 있을 것이다.

본 발명의 다른 설명에 따르면, 상기 세라믹화합의 열용량 권리는 Debye 모델에 사용된 열용량 가변의 법칙을 따르지 아니하는 것일 수 있다.

본 발명에 따른 세라믹화합물 및 그 제조방법은 상온, 상압에서 초전도적 특성을 이끌어내는 효과가 있다.

도 1, 2는 본에 이어서 세라믹 화합 구조를 모식화한 그림으로, A는 Pb로, B는 Cu로 대표되어 도 1은 공간을 표시하는 직교좌표계(Cartesian coordinate system)에서 ab 평면을 직교하는 c축 방면에서 기존 세라믹 화합 구조와 단위 셀(Unit cell)을 표시한 말씀, 도 2는 도 1의 단위 셀(Unit cell)을 ab 평면과 수직인 c축을 따라 수직 구조를 표시한 그림 으로 실선 박스로 표시한 내부가 특정한 본의 세라믹 화학 물질 단위 구조이고 초전도 액체우물(SQW)이 생성되는 위치를 식물성 그림이고,

도 3은 A( Pb(II) 이온)은 다면체 Pb(2) 위치에 B( Cu(II) 이온)이 가능해진 구조를 보여 주거나, 금지와 혐의의 발생을 모식적으로 보여주는 그림이고,

도 4는 도 2의 초전도 구리우물(SQW)이 Pb(1)와 인산염 셔츠리젠 사이에 구조적 변동에 발생하여 |

도 5는 본에 앞서 LK-99 시료를 촬영한 사진으로, 짙은 회색(검은색)을 지켜보고,

도 6, 7은 각각 예 1의 시료를 298K~398K에서 측정한 표준 대 인가 전류 그래프와 표준저항을 나타내는 그래프로서, 그래프내 그래프의 수직축 지표들의 지수는 10 -9 (× 10 -9 ) 이고 ,

도 8, 9는 각각 예 2의 시료에 대한 인가 및 전류의 외부 자기장(H) 의존성과 영계 냉각을 나타내는 그래프,

도 10, 11은 각각의 예시예 2의 시료에 대한 시료에 대한 황산과 금속자기장에 따른 그래프이고,

도 12는 예시예 2 시료를 XRD 실험한 결과이고,

도 13은 본 발명에 따른 LK-99의 EPR 신호 그래프이고,

도 14는 LK-99의 IV 측정 후 얻은 EPR 신호 그래프이고,

도 15는 열용량에서 데이터를 계산한 디바이(Debye) 온도를 기록하고,

도 16은 본격에 LK-99의 열 지속시간을 공급하고,

도 17, 18은 각각 각 예시예 2의 시료에 대한 300K에서 VSM 모드로 SQUID 측정을 통해 강자성 거동을 나타내는 것이고,

도 19는 예시 2의 시료에 대한 100K에서 DC 자기장 측정에 의한 마이스너 효과(0 Oe 가까이, <±100 Oe), 강자성(<±500 Oe) 및 반지성(> ±500 Oe) 거동을 나타내는 그래프이고 ,

도 20은 참고예 2 시료의 전자스핀공명측정에서 흡수신호를 보여주는 그래프이고,

도 21, 22는 표준예 2의 시료의 자기부양사진으로 도 21은 LK-99 시료에 전류를 공급하지 않은 경우에 반자성 경계가 매우 미세서 자기부양 벼가 잘 안되어 위쪽에 올려져 있는 것을 보여주고 , 도 22는 공급된 현재에 의해 생성되고 증가된 쿠퍼쌍으로 인해 반자성 권리가 강화되어 자기부양 상태가 나타나남을 알 수 있다.

이하, 상세하게 설명한다.

시스템에서 사용되는 지정은 단지 구체적으로 구체적인 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본을 제한하고자 하는 의도가 소비자를 주목해야 합니다.

또한, 본에서 사용되는 의미는 본에서 사용되는 다른 의미로 정의되지 않으며, 본 과학적 기술 분야에서 연방의 지식을 소유한 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미로 인으로 오류가 발생하면, 과도하게 진행된 의미로 오류가 진정되고, 본의에서 지적된 기술적인 언급이 본의사를 지적하지 않는다는 주장을 제기하는 의미를 지적하고, 중첩되어 이해해야 할 범위, 본에서 사용되는 최소한의 지정은 사전에 정의되어 있고 바에 따라, 또는 도착 시점에 해석되어야 하며, 과도하게 전개된 의미로 중단되지 않고, 본에서 사용되는 단수 의 표현은 현재 상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복구의 표현을 포함하고, 본에서, '구성된다' 또는 '포함한다' 등의 지정은 여러 구성 요소들에 따라, 또는 여러 단계를 반드시 모두 포함한다 , 그 중 일부 구성 요소들 또는 부분들은 포함되지 않고 있고 그리고 또 다른 추가 구성 요소들 사용자 설명이 본 발명의 요지인 흐릴 수 있고 항상 되는 경우에 사용자가 설명을 제공한다.

본 발명은 기출원한 것에서 공개하지 못한 채 참는 초전도 물질적인 결정 구조에 대해 더 알아보고자 한다.

본 발명은 기상증착(VD: Vapor Deposition) 방식을 통해 결정된 형태의 형태로 초전도 본체의 양을 이길 수 있는 방법을 찾아내었고, 또한 추가 분석을 초전도 본체의 반응 및 구조를 확인하는 것이 정보를 바탕으로 대략적인 고상반응을 이용하여 알갱이(ingot) 또는 구체적인(powder) 형태로도 초전도를 실질적으로 할 수 있었다.

위성시계를 사용하는 다양한 에너지원은 열을 이용한 재생기상증착(chemical vapor deposition; CVD)에 제한하지 않고, 원자층증착(atomic layer deposition; ALD), 스퍼터링(sputtering), 열증착(thermal evaporation) , 전자빔 위치(e-beam evaporation), 밟힌 빔 길이(molecular beam epitaxy; MBE), 저지레이저증착(pulsed laser deposition; PLD) 등도 도달거리를 거주할 수 있는 한제한 없이 포함된다.

본 발명에 따른 초전도성 세라믹화합물은 1에 기인한 세라믹화합물을 포함하는 특징으로 한다.

<화학식 1>

A 10-x B x (PO 4 ) 6 O, x=0.1 두께 2.0

(A는 Ca, Ba, Sr, Sn 또는 Pb, B는 Cu, Cd, Zn, Mn, Fe, Ni 또는 Ag)

위에서 언급한 1은 범위타이트(Apatite)와 구조적으로 닮은 측면이 진행되고, 물성이나 권리가 상이하므로 본 소유권에서 이 구조를 'LK-99'로 선언했습니다.

상기한 쪽타이트는 인산기 틈새 금속이 결합된 광으로 예전부터 흔히 볼 수 있고, 이것은 에너지 갭이 큰 전기적 부도체(절연체)인 반면에, 본 발명에 따르는 LK-99 구조는 대상에 해당하는 체(치환체) 나 마이크로(Dopant) 및 불량(defect) 등으로 새로운 에너지 준위를 형성하여 전기적 도체, 특히 초전도적 권리를 갖는 권리가 있다.

또한 상기 1에서 A는 Ca, Ba, Sr, Sn, Pb 등의 금속으로 s-block metal, p-block 금속의 특징을 빤다, 또는 Y, La, Ce 등으로 금속은 란탄계열 등 또는 의 조합을 포함할 수 있다.

또한, B는 Cu, Cd, Zn, Mn, Fe, Ni, Ag 등으로 d-block 금속의 특징을 가공하고, B는 밀봉된 체나 추가 가공품으로 d 오비탈을 자연스럽게 만들어서, 전기적 부도체에서 전도체 또는 초전도 혁신된 권리가 있다.

고주파, x=0.1 윗 2.0이 되었을 때, 0.1 미만이면 세라믹화합 객체 구조상 공간적 반전이나 지연으로 인한 입자간 의심이 발생이 미미하여 초전도우 오염물(Superconducting Quantum Well : SQW)이 생성되지 않았거나 할 수 있고, 상대적으로 2.0 을 이어서 다음이 미생성붕괴한 충격이나 다른 형태의 충격이 나올 수 있다.

도 1, 2는 본에 이어서 세라믹 화합 구조를 모식화한 그림으로, A는 Pb로, B는 Cu로 대표되어 도 1은 공간을 표시하는 직교좌표계(Cartesian coordinate system)에서 ab 평면을 직교하는 c축 방면에서 기존 세라믹 화합 구조와 단위 셀(Unit cell)을 표시한 말씀, 도 2는 도 1의 단위 셀(Unit cell)을 ab 평면과 수직인 c축을 따라 수직 구조를 표시한 그림 으로 실선 상자로 표시한 내부가 특정한 본 발명의 세라믹 화학 물질 단위 구조이고 그와 더불어 초전도 벌레우물(SQW)이 생성되는 위치를 과학적 그림이다.

도 3은 A( Pb(II) 이온)은 다면체 Pb(2) 위치에 B( Cu(II) 이온)이 가능해진 구조를 보여 주거나, 석회와 증언의 발생을 모식적으로 보여주는 그림이고, 도 4는 도 2의 초전도 구리우물(SQW)이 Pb(1)와 인산염 드라이젠 사이에 구조적 변칙에 의해 형성되어 밴드 멈춤이다.

상기 1에서 6개의 A(Pb(1))와 채널 장애(O)에 구현한다면 구조가 형성되는 것, 즉 3개의 A가 인터페이스 형상으로 평면적으로 배열되어 그 위나 아래로 3개의 A가 인터페이스 형태의 평면을 적층되되 각각의 PCB이 배수는 형태가 아닌 엇갈린 배열로 깨끗하게 된 인산염((PO 4 ) 6 )은 각 A에 반복 배치된다.

이러한 경우 구조는 A를 Pb로 예를 들면, 구부러지면 6Pb(1)-O로 표기하며 단위격자(Unit cell)내에서 그 상하로 연속되어 표준 전체 구조가 되어 있거나 갚지 못한 구조를 형성한다.

더 자세히 설명하면 Pb(1)로 연결 중앙부에 위치하는 채널 중단(O)이 있을 수 있는 4개의 자리를 중심으로 Pb(1) 6개 3개 배치 한 층을 배열 총 2층을 이룬다.

단위격자가 연속되는 경우 채널 중단(O)은 4개의 자리 중 임의로 1개의 자리를 부여하게 되며, 이렇게 해서 나는 단위격자내의 6Pb(1)-O 층이 c축 방향으로 연결되면 지연되고 구조가 형성되고 , 이러한 구조는 Pb(2)-OP로 배치 3차원 구조로 둘러싸서 가능하게 됩니다.

정리하면, 본에 앞서 LK-99는 전체적으로 3차원 네트워크 구조를 버려, 절연성 사면체 PO 4 네트워크 구조가 조금 더 넓어지고, 내부는 좁으면 6Pb(1)-O가 배열되며, 비대칭이라면 6Pb(1 )-O는 3Pb(1))이 상하로 엇갈려 배열되는 특징이 있다.

여기서 B(Cu)는 A를 대신하여 나중에 찾아가고, 도시라면 체를 형성하는 A(Pb(1))를 결국 되는 것이 아니라 척추 또는 만성 상태 구조의 외각(外殼)에 배열된 4개의 A(Pb( 2))를 반복하여 배열하고, 내부적으로 형성을 형성하는 Pb(1)과 선언하여 Pb(2)로 표시한다.

즉, 만약 다면체 4Pb(2)는 LK-99의 절연성 사면체 PO 4 네트워크 구조에 배열되어 구리이온(Cu 2+ )은 4개의 Pb(2) 이온 중 대략 1개 구리이온으로 되어 Pb(1) 의 위치가 복귀된 쪽에 위치(치환전)에서 약간 이동된 구조적 특징을 가지는데, 도 3에 표현한 것과 유사하게, 아마도 구리온에 따라 원래 구리성 사면체 PO 4 네트워크 구조에 변형(Volume shrinkage ) and stress)이 생기며 이 영향으로 그 내부의 균형 또는 보존성이 없어지고 Pb(1)들 변형의 왜곡(distortion) 이 발생하기도 하고 절연성 사면체 PO 4 거북이(SQW)가 생성되는 것으로 이해할 수 있다.

이러한 LK-99에서 구리온의 후에는 구리이온(Cu 2+ , 87 pm)이 닙이온(Pb 2+ , 133 pm)보다 작기때문에 판단이 최종적으로 최전도에 미치는 영향을 줄 수 있다.

여기서 구리의 전기는 XPS의 거대한 % 데이터를 기반으로 결정하고, 열용량에 관한 디바이 모델(Debye model)에 의해 확인될 수 있으며, 더 나아가는 추술한다.

XPS의 각 솥 %는 해당원의 결속 에너지 피크의 각각의 길이를 합한 후에 각 동전의 측정오비탈을 늠름한 총전자의 표준으로 짧게 준후 해당하는 XPS 측정의 전압 스위치를 곱하여 근육의 양 또는 강도( 강도)를 계산할 수 있고, Pb와 Cu의 상대적인 양을 계산하여 구리의 전기를 정할 수 있고, XPS 측정을 기초로 Pb의 값을 10으로 했을 때 Cu의 값이 0.9를 유지할 수 있다.

날카로운, 본 발명의 세라믹화합물 LK-99의 색상은 착용타이트의 아이보리색과 대비되는 회색이나 검정색이고(도 5), 절연체인외타이트 운전하는 초전도체이다.

또한, 본에 따라 세라믹화합물은 B의 위치에 위치하여 A의 배열 위치가 결합되어 세라믹의 강도가 수직가 증가하여 열용량 변환가 감소하는 특성이 있고, 그 이유는 B(Cu 2 + )에 의해 A(Pb 2+ )보다 크기가, 약가 작 아서 처음으로 약수축이 발생하기 시작했다.

즉, B의 위치로 도달 가능한 구조의 변형으로 3차원 진동 운동을 제한하여 열용량 변동이 감소할 수 있다.

본 발명에 따르는 세라믹화합물은 초전도 배기시간(SQW)들 사이의 터널링으로 전자가 이동하면 저항값이 0이 될 수 있고, 지정되면 즉시 전자슨 효과(Josephson 효과)는 초전도체 사이에 차단체를 개재시켜도 터널링이 전류가 공급되어 유사하다.

상기 LK-99의 초전도 배양시간(SQW) 사이가 3.7Å 윗면 6.5Å이 되어야 초전농축도의 터널링이 가능하게 될 것이고, 최근 터널링이 가능하도록 두 개의 반대 스핀을 가진 전자가 결합하여 쿠퍼쌍을 이 쿠퍼쌍 전자는 전지핵의 핵핵과 쿨롱(coulomb) 인력이 엄청나게 작아져 도착을 쉽게 통과할 수 있게 하고, 또한 터널링에 필요한 운동 에너지를 쿠퍼 사이쌍의 전자-전자 결합 작용에 의한 운동 에너지와 쿠퍼쌍을 물체의 전자가 보게 된 운동에너지의 합 등이 SQW 사이를 터널링할 수 있는 에너지원으로 마주하는 것으로 보입니다.

LK-99는 내부 폐구조의 Pb(1) 외부 절연성 면체 PO 4 네트워크 구조와의 사이에 SQW를 구성하고, 인가된 현재는 터널링을 진행하면서 방전되고서 존재하는 SQW를 통해 전달되고 LK-99는 부분적으로 짧게 SQW를 가지고 있고, 전달되는 전자는 기본, 초전도 전자(Cooper-pair), 축합 등을 거치는 것으로 보인다.

또 크게, LK-99는 상온과 압력에서 초전도성을 나타내는데, B(Cu2 + )가 나중에 발생하여 심각한 상태가 해제되지 않고, 정상이 되면 재개에 전달되었음을 인지한다.

즉, 북극(또는 보존) 직전의 Pb(1)은 구조적으로 숨겨진 공간을 포함하며, 이러한 거대 화폐는 친환된 B, 예를 들어 구리이온(Cu 2+ )에 의해 발생하고 변형 에 벽영향을 견디고, 상온, 대기압 하에서도 이러한 변형이 유지될 수 있는 손잡이(변형이완되어 원상으로 회복되게 하지 않고), SQW이 생성되어 초전도 현상을 보이게 되는 것으로 된다.

[0012] 여기서, 본 발명에 따른 세라믹화합물 제조방법은 점차적으로 성장하여 1에 증착된 세라믹화합물을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

<화학식 1>

A 10-x B x (PO 4 ) 6 O, x=0.1 두께 2.0

(A는 Ca, Ba, Sr, Sn 또는 Pb, B는 Cu, Cd, Zn, Mn, Fe, Ni 또는 Ag)

상기 검토는 1의 개체들을 몰비에 따라 전체적으로 가능한 적량으로 합성할 수 있다.

1의 개체를 몰비에 따라 전체 미터를 적량으로 하여 산소 조절이 반응용기에서 반응 온도 550℃ ~ 1100 ℃, 시간 1 ~ 100시간 동안 반응시키려면 전처리한 세라믹 전구체가 기다려야 합니다.

본원에서 물리적 기판(PVD)의 한 방법인 Thermal Vapor Deposition(TVD)의 공정 온도, 공정 시간은 ① 세라믹 전구체의 경우에는 550℃ ~ 1100℃, 1 ~ 100시간을 수행하고, ② 기판 공정의 경우 에는 550℃ ~ 2000℃, 0.001 ~ 100시간을 적용할 수 있다.

그 스테스트 세라믹 전구체의 경우는 일차적으로 충전비에 따라 정상 온도로 낮은 온도에 안정적인 상태로(550℃ ~ 1100℃) 반응 조건을 충전하여 잘 혼합된 전압(Solid-solution) 상태에서 반응이 작동하여 마이크 초기 단계로 쓰기 위해 1차적으로 준비하는 전구체이기 시작했다.

본원에서 물리적 기판(PVD)의 한 방법인 Thermal Vapor Deposition(TVD)의 공정 온도, 공정 시간은 ① 세라믹 전구체의 경우에는 550℃ ~ 1100℃, 1 ~ 100시간을 수행하고, ② 기판 공정의 경우 에는 550℃ ~ 2000℃, 0.001~ 100시간을 적용할 수 있다.

그 스테스트 세라믹 전구체의 경우는 일차적으로 충전비에 따라 정상 온도로 낮은 온도에 안정적인 상태로(550℃ ~ 1100℃) 반응 조건을 충전하여 잘 혼합된 전압(Solid-solution) 상태에서 반응이 작동하여 마이크 초기 단계로 쓰기 위해 1차적으로 준비하는 전구체이기 시작했다.

여기, 세라믹 전구체의 가열 온도가 550℃ 이상 있으면, 안정적으로 휴식을 취할 수 있고, 이에 따라 원하는 반응이 충분히 휴식할 수 있고, 반대로 1100℃를 초과하면, 다른 반응으로 작업하여 필요로 하는 작업이 이루어지지 않는 문제와 또한 에너지 낭비의 문제가 되고, 상기 가열 시간은 10시간이 필요한데, 감시 10시간이면 온도가 낮아지면서 , 반대로 100시간을 초과하면 너무 많은 에너지가 소모되는 것이 문제가 될 수 있다.

이러한 전기를 이용한 열증착을 포함한 전기적 전기회로 공정의 가열 온도는 550 옥상 2000℃인 것일 수 있는 모니터, 550℃미만 이면, 이들이 충분히 기화되지 않고, 가까이에서 위쪽을 생성하기, 그리고 2000℃를 초과하면, 초전도 후자의 생성이 종료할 수 있고, 상기 가열 시간은 0.001 윗 100시간이 필요하면 0.001시간이면 멈춤 기화가 항상 가까이서 유지하고, 100시간을 초과하면 백라이트가 이후 에너지 낭비적일 수 있다.

또한, 통화 공정 중 다른 하나는 CVD(화학식상 증착 방법) 젖은 가열부에 잘 포함된 시료를 진공 상태에서 올려놓고 에너지원으로 가하여 온도를 올려서 비상으로 이동하는 것, 2000℃ 초과의 온도로 가열하면 탁면의 온도가 너무 눕혀 원하는 상이 잘 닿지 않을 수 있으며, 상기 가열 시간은 0.001내지 100시간이 필요하고, 그때 0.001시간 미만이면 기화가 직전이 거의 안 될 보존 매우 얇아질 수 있고, 반대로 100시간을 초과하면 모니터가 끝난 이후 에너지 낭비일 수 있다

CVD(화학식상증착 방법)의 경우, 일차적으로 Larnarkite가 형성되는 반응은 PbS가 먼저 기화되어 요리(substrate)에서 중단을 공급받아 형성되는 것으로 신호, 반응식 1과 된다.

<반응식 1>

2PbS( s ) + 5/2O2 ( s, 기판으로부터) → Pb2SO5 ( s) + S(g) ↑

이후로는 Larnarkite(Pb 2 SO 5 =PbO·PbSO 4 ) 위에 Cu 와 Pga 각각 Pb 와 S 를 따른다. 있다.

이것은 다음과 같은 것을 회수할 수 있었습니다.

① 초전도 물질은 Lanarkite가 있는 영역에서 형성되고, ② 초전도 물질에서는 영역에서 Cu와 P가 같이 서명하고, ③ Cu와 P가는 책임자 중 데이터베이스(COD) 있는 전자는 Cu 3 P이고, ④ 따라서 , Lanarkite와 Cu 3 P가 반응하여 본에 이르러 세라믹화합물인 초전도 인간의 구조인 'LK-99'를 생성함을 알 수 있고, 분해하면 아래로 반응식 2로 평가할 수 있다.

<반응식 2>

L + Cu 3P → LK-99

( L : 라나르카이트(Pb2SO5 = PbO· PbSO4 ) )

위 반응식 은 본 에 앞서 와 반응하는 부분으로 또는 전체 황이 인으로 보존된 건조한 인산기를 형성하는

이에 따라 본 발명에 따라 세라믹은 상기 반응식을 이용하여 고상 반응(solid-state reaction)을 관심할 수 있다.

먼저, Lanarkite를 합성하기 위해, PbO 규격과 PbSO 4 규격을 1:1의 몰비로 입히고, 알루미나 도가니에 얹은 후 가열로에 완전한 725℃에서 24hr 동안 반응하여, 반응 종료 후, 분쇄하여 바이알 보유하고 있습니다.

다음으로, Cu 3 P를 합성하기 위하여, Cu 규격과 P 규격을 의무비로 완전하고, 반응관(쿼츠 관)에 보관하고, 550℃에서 48hr 동안 반응하여 반응 종료 후, 반응관에서 빼서 내어 알갱이(주괴)를 분쇄하여 바이알에 보관한다.

다음으로, 본에 따르면 세라믹화합물을 배양하여, 합성한 Lanarkite와 Cu 3 P를 1:1의 몰비로 하여 완전하고, 반응관에 숙성하고 습기를 형성한 후 습기가 차며, 600℃~1000℃에서 5hr ~40hr 동안 반응하고(만일 이 온도 범위가 하향식 반응을 에너지를 공급하지 못하게 하고, 이 범위를 초과하게 되면 Lanarkite에 포함된 SO 4 가 분해될 수 있고, 또한 이 시간 범위가 많이 존재하게 되고, 이 범위를 넘어서는 이미 반응이 종료되어 나가서 효과가 없을 수 없음), 종료 반응 후, 반응관에서 빼낸 시료는 알갱이(ingot) 형태이고, 그에 따라 알갱이를 가공하거나 분쇄하여 보관할 수 있다.

수신예1 - 수신신호

1 A 10-x B x (PO 4 ) 6 O에서 A는 Pb, B는 Cu로 하여 2 Pb 10-x Cu x (PO 4 ) 6 O (x=0.1~2.0)을 준비할 몰비에 이에 따라 총량 3g을 적도록 쿼츠튜브에 진공펌프로 10 -5 Torr의 진공상태를 만든 후, 20분 유지후 튜브의 전체 길이가 15cm가 조정하여 토치 완성하고, 쿼츠튜브를 가열로( Furnace) 반응시간 550℃~1100℃, 반응시간 10~100시간 동안 반응시켜 세라믹전구체를 합성하고 지연상태로 기재(Substrate) 위에 올려주고, 대기(Chamber) 내부에 배치한 후 가열부( tungsten boat)윗선 10 -5 Torr 이하로 진공을 유지하며, 가열부의 온도를 550℃~900℃로 유지 약 1~5분간 유지하면서 화후 900℃~2000℃ 로온하여 기화시켜, 잠의 상승 경로에 배치된 고순도 유리판 표면에 걸러지게 하여 세라믹화합물을 합성하였다.

추천예2 - 고상합성

Lanarkite를 합성하기 위해, PbO 규격과 PbSO 4 을 1:1의 몰비로 연화하고, 알루미나 도가니에 얹은 후 가열로에 최고 725℃에서 24hr 동안 반응시키고, 반응 종료 후 분쇄해라, Cu 3 P 를 공식하기 위하여, Cu 규격과 P를 전기비로 완전하고, 반응관(쿼츠 관)에 수동적으로 수분 형성후 밀봉하고, 550℃에서 48hr 동안 반응하여 반응 종료 후, 반응관에서 빼내어 알갱이 (ingot)을 분쇄하고, 상기 Lanarkite와 Cu 3 P를 1:1의 몰비로 신고하게 혼합하고, 반응관에 수축하고 10 -5 Torr 진공형상 후 폐쇄하며, 925℃에서 10hr 동안 반응시키다, 종료 후 반응관에서 채취한 시료는 알갱이(ingot) 형태로 본 것에 충실하였다. 여기서 고상반응에 사용된 재료는 PbO(JUNSEI, GR), PbSO4 ( KANTO, GR), Cu(DAEJUNG, EP), P(JUNSEI, EP)였다.

고상 반응으로 채취한 시료는 진한 회색(dark gray)의 단단한 주괴 형태로 요청된 자연 반응에서 빠져나오는 유동성 분자의 영향으로 포러스(prous)이며, 시료의 크기는 용기의 반응과 반응량에 따라 균형고, 전기저항의 측정은 잉곳을 갸름한 판 모양의 직육면 최대 가공하여 점점 측정 XRD와 SQUID, EPR은 분쇄한로 딱딱한 측정이 되고 XPS는 근육질로 만들어서 측정을 했습니다.

실제예1 - 전기적 기록 측정

예시예1에서 받은 잉곳 형태를 비키니 판 모양의 직육면 극강 가공한 시료에 대하여 전기적 오른쪽을 1.2㎜의 4점을 이용하여 측정하였다. 키슬리 228A와 키슬리 182는 각각 전압/전류 소스와 디지털 전압계로 사용되었습니다. 표준 온도 제어 및 측정을 위해 소량의 알루미늄 마운팅 플레이트와 프로브 램프를 사용하여 자가 난방 장치를 만들었습니다. LabView 소프트웨어는 자체 제작 프로그램도 측정에 사용되었습니다. 모든 것이 GPIB 인터페이스 장치와 연결되었습니다. 온도 측정은 표면에 FLUKE 80BK-DMM K형 열전쌍 채취를 사용하여 Keithley 2000으로 이루어졌습니다.

도 6은 298K~398K에서 측정된 전압 대 인가 전류 그래프처럼, 10 -3 Torr의 공기에서 온도가 20K씩 증가할 때마다 봉사자의 체온 변화로 계속해서, 측정된 비저항은 10 -6 꼭대기 10 -9 Ω ·cm 범위였다.

본 발명의 세라믹화합물은 자기장 변화에 이르러서는 전류-전압 특성이 외부 자기장 크기가 0G인 경우에 옴의 원칙을 따르지 않고 공급된 현재에 비해 전압의 변화가 거의 도달하고, 외부 자기장 크기에 따라서 최대화 의 저지 줄어드는 권리를 보이다가 최대 현재량을 넘어서면 옴의 원칙을 준수하는 전류-적정적 권리를 보인다.

또한 본 발명의 세라믹화합물 온도 변화에 따라 저항-온도 특성이 온도에 이르면 초전도상이 깨져 온도가 높아질수록 전기 저항이 0인 전류의 전압이 되고 결국에는 초전도상이 깨져서 옴의 법칙의 전류-전압 특성이 된다. 을 보일 것이다.

도 7은 새로운 초전도체로서 국제표준 ( Y. Wang, Fundamental Elements of Applied Superconductivity in Electrical Engineering . (Wiley, 2013), JW Ekin, Experimental Techniques for Low-Temperature Measurements . (Oxford University Press, New York, 2006)) 의 저항을 만족하면 LK-99 방수의 저항을 그래프인데, 인가가 증감하는 동안 측정되는 전압은 0.1 μV/cm 범위에서 허용되게, 비저항은 10 -10 ~10 -11 Ω · cm 의 편지로 계산되고, 잔존저항의 발생은 결정립 경계가 물었더니 이에 따라 감소하였다.

본 발명의 세라믹 화합물은 온도 변화에 이르면 전류 전압이 옴의 원리를 따라서 공급되고 전류에 비해 전압의 변화가 거의 없는 초전도의 권리를 나타낼 수 있다.

실제예2 - 자기특성측정

기본예2의 잘게 분쇄한 시료 45.814mg의 자화정도를 초전도 대구간장치섭(SQUID)를 이용하여 설정하였다(설정 : dc 모드, 30 mm 스캔 길이, 측정당 10 스캔, 스캔 시간 10초). 또한, 전기적 필드 냉각은 외부 자체장 없이 400K에서 200K로 처리한 후 10 Oe 자기장에서는 200K에서 400K로 온도를 승온하고, 10 Oe 자기장으로 400 K에서 200 K로 냉각하였다.

고주파, 새로운 자화 측정은 VSM 모드로 실행되었고, 300K에서 -20,000Oe ~ +20,000Oe로, 그리고 세 번째 자화 측정은 dc 모드, 30 mm 스캔 길이, 측정당 10 스캔, 스캔 시간 10초로 실행되었습니다.

영계냉각(zero field cooling : Zero Field Cooling)은 외부장 없이 300 K에서 100 K까지 처리한 후 100 K에서 0 G ~ 3500 Oe, 3500 Oe ~ -3500 Oe, -3500 Oe ~ 3500 Oe에서 측정되었습니다.

도 8은 인가 전류의 외부 자기장(H)에 의존해서 지켜보고, 특히 도 9에서 볼 수 있는 최대, 최대 400K에서도 10외의 전압 필드 냉각 및 필드 냉각의 DC 자화 값은 여전히 ​​음수이고, 이러한 결과는 초전도 상이 10 Oe에서 400 K까지 여전히 존재한다는 것을 보여줍니다.

자화율은 온도가 청년온도(Tc) 이상으로 면 자화율 값이 증가하는 전이(transition)가 발생했을 때, 이 측정법을 ZFC라고 하고 온도를 온도에서 낮추면서 측정하는 방식을 FC라고 최근, 온도가 상승합니다. (Tc) 이하로 갈수록 저항값이 감소(이론적으로는 0 '0'으로 감)하는 전이(transition)가 발생하는 형태, 본 온도의 세라믹화합물은 온도가 올라가지 않게 시작하여 400 K 이상으로 상승 바로 데이터가 됐다.

즉, 본의 세라믹화합물은 변화에 따른 특성화율이 200K까지 냉각 후 다시 복귀 온도를 400K까지 올리면서 온도를 낮추면서(DC) DC) 자화율을 측정한 경우에 초전도체의 특징인 음의 자화율 즉, 반자성 오른쪽을 보이는 것을 알 수 있다.

또한. 도 10, 도 11은 400 K 및 3000 Oe 이상에서 능숙한 현재 값은 이미 0이 가까워지고, 400 K까지는 초전도상이 유지되고, 심히 7 mA 한계의 현재에서도 400 K 이상임을 알 수 있는 현미경으로 나아가, 400 K 이하 의 초전도 전이 온도를 구할 수 있고, 따라서 본 발명에 따른 LK-99의 전류 온도는 400K 이상이라고 할 수 있다.

실험예3 - XRD 측정

예2의 분쇄한 분말 시료를 만들어 XRD 측정 장비(리가쿠(일본 스마트랩))를 이용하여 측정하고, 분쇄한 분말 시료를 펠렛으로 XPS를 측정하였다.

도 12는 접촉베이스(Crystallography Open Database(COD))와 일치하는 LK-99의 XRD 결과로서, 처리와는 다르게 원래 XRD 데이터는 Kα2-strip만 처리하거나, 즉, XRD에서 사용하는 X-ray 장비는 단일파가 아니라 Kα1과 Kα2라는 두 개의 중복이 극심해졌고, 두 시간의 차이가 에너지가 자동으로 분리되는 것이 기술적으로 어려운 점을 고려하여, XRD의 정점을 자세히 보면 하나의 정점이나 Kα1과 Kα2에 두 개로 분할되어 있는 것을 볼 수 있고, 데이터 처리 과정에서 Kα2의 강도가 Kα1보다 1/2 보존 작기 때문에 소프트웨어를 사용하여 Kα2에 기인한 부분을 제거하고 Kα1에 기인한 피크만 고려한 것이다.

이렇게 메트데이터는 선택베이스상에서타이트와 매우 근사한 결과를 솎아 냅니다.

이 결과는 본 발명에 따르는 LK-99가 결정하고 그것의 주책이 져야 할 책임이 있다-아파타이트(AP) 구조와 유사하며 나무(Cu 2 S)는 당분간임을 알 수 있다.

큐브 립-아파타이트의 결정계는 육각형(P6 3/m , 176)이고, 셀 구동은 a=9.865 Å, c=7.431 Å인데, 본 발명의 LK-99는 매개변수가 a=9.843 Å, c=7.428 Å이다. 로 기존보다 수축된 형태로 보입니다(부피 감소 0.48%는 육방정계의 약 V=a 2 c sin(60 o )의 식에 눕혀-아파트의 단위셀을 긷는 것을 대입하여 계량한 값과 LK-99의 단위 원고를 입력하여 계산한 결과이다).

또 큼, 본 결정의 화합물이 체적 하강 의심이 최종적으로 영향을 미치는 부위가 먹이기 위해, 즉 Pb(1) 위치의 변화를 하기 위해, 계산된 복부 지배의 푸리에 변환을 통해 하나의 결정 축을 따라 1차원 전자계산을 사용하였다.

전자 밀도는 하기 식1을 이용하여 XRD 데이터의 (00l) 반사강도를 기준으로 z방향 θ(c)를 따라 계산된다.

<식 1>

여기에서 l, F(00l), c, z는 각각 (00l) 회절 배터리의 대문, 구조 받침대, c축의 단위는 금속끼리 및 z축을 따라 건 쾌할 수 있다는 것을 의미한다.

도 12에서 XRD 데이터의 (00l) 및 (h00)반사강도에 기초하여 z방향과 x방향인 ρ(c, rho c)와 ρ(a, rho a)를 따라 Pb(1)의 전자 밀도 계산 을 위의 복장을 적용하였다.

내부 저금통을 구성하는 Pb(1)의 위치는 거기에 있는 구리이온이 안쪽으로 또는 뒤로 가까워져서 원래 위치에서 약간 이동되고, 저장고의 Pb(1)의 순환 계면에서, 한 층에 Pb (1) 최소 2.61815 Å로 감소하고, 다음 층은 원래 거리 3.03340 Å에서 5.23476 Å으로 증가 전압 LK-99의 Pb(1)의 삼각층 사이의 c축까지의 거리(3.7140 Å)는 현미경-아파타이트 (3.7153 Å)와 거의 변화가 없다.

그리고 XPS 데이터의 분해 결과에서 콜라(Pb(2))과 인(Phosphor)과의 결합에너지(BE)는 받지 못했지만, 2 p3/2 와 2 p1/2 사이의 사면체 PO 4 네트워크 구조 의 인 분리 값 (Phosphorus splitting value)은 0.68eV에서 0.69eV로 매우 소폭 증가, 모든 중단 BE는 각각 0.21eV, 0.33eV, 0.56eV로 증가시키거나, 또한 Pb(1)의 BE 값은 0.03eV만큼 약간 증가시키거나 , 외장 구리 폴드이온의 뒤에 발생적 감소가 일어나고, 체적 감소에 의한 원인은 최종적으로 Pb(1)의 위치 변화 및 Pb(1)에 있다.

	납 4f 7/2 , 4f 5/2	P 2P 3/2 2P 1/2	오 1초	구리 2P 3/2 2P 1/2
납 인회석	납(1) 137.42eV142.3eV납(2) 138.07eV142.95eV	131.61eV132.3eV분할 값: 0.69eV	O(4) 529.10 eVO(1) 529.57 eVO(2) 530.02 eVO(3) 530.60 eV
LK-99	납(1) 137.39eV142.27eV납(2) 138.07eV142.94eV	131.62eV132.3eV분할 값: 0.68eV	O(4) 529.31 eVO(1) 529.9 eVO(2) 530.58 eVO(3) 531.49 eV	Cu(0) 932.05eV951.91eVCu(II) 933.78eV954.03eV

위표 1은 납입-아파타이트와 LK-99의 결합에너지를 꺾어야 합니다.실험예4 - 전자기 공명(EPR) 분광 측정

EPR 분광 측정은 JES-FA200 ESR X-밴드 분광계(Jeol, Japan)를 사용하여 3.45 K ~ 295 K의 온도 범위에서 최대로, 최대 마이크로파 전력은 0.9980mW이고 수신기는 100을 받고 스위프 시간은 1분으로 설정, 수축된 자기장은 100KHz에서 10G이고 스님이 된 외부 자기장은 -100~9,900Oe 또는 0Oe~10,000Oe로 설정되었습니다.

예2의 분쇄한 분말 시료는 5 ㎜ 쿼츠 튜브(미국 Wilmad Lab Glass, USA Wilmad Lab Glass)에 세팅되어 있고, IV 전 LK-99용 표면 진공(5 x 10 -5 torr)이고, 측정 된 석영관을 액체 헬륨 냉각(크라이오스타트) 시스템이 장착된 실린더 캐비티에 장전했습니다.

IV 측정 후 EPR 신호를 한 시료는 전기적 지표를 측정한 시료의 일부 조각을 장전하여 측정하고 측정한 알코올이 아닌 상태에서 측정하였다.

본 LK-99는 EPR 결과를 통해 초전도 폐색의 형성으로 초전도 발생을 설명할 수 있고, 도 13은 본 LK-99의 EPR 신호 그래프이고, 도 14는 LK-99의 IV 측정 후 EPR 신호 취득으로서, 이를 참고하여 설명한다.

도 13의 EPR 신호는 Si/SiGe, 건조상태의 자연 DNA 및 Mg 2+ 가 도핑된 α-Fe 2 O 3 와 같은 이종접합 양자우물(heterojunction quantum well)과 동일시하며, 이 신호는 유체물 2 덱셀(2-dimensional electron gas, 2-DEG)의 플라즈마로트론 공명 신호로 평균, 즉 LK-99의 Pb(1)과 인산염의 생성에서 생성할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르는 세라믹화합물은 뒤에 있는 구리이온에 있는 EPR 신호가 3000 Oe에서 조회하는데, 이 GaAs/AlGaAs 및 DNA의 2-DEG 시스템에서 0.3 K 및 1 K에서 보고된 초전도 튜브과, LaAlO 3 /SrTiO 3 와 같은 2-DEG 시스템의 이종접합과 같은 구체적인 구조를 받는 초전도 접착제와 같은 결과이다.

이를 앞서가는 세라믹 화합물이 전개 구조의 구조적 반전에 의해 Pb(1)과 Oxygens of Phosphate 사이에 초전도 이탈우물(SQW)이 생성됨을 확인하고, 도 2와 같은 SQW 대역 조절을 예측할 수 있다.

또한, LK-99의 초전도 성이 초전도 구리우물(SQW)과 내부 관련이 심리적, LK-99의 SQW의 다른 전기적 권리는 Pb(1)의 매우 낮은 페르미 에너지(-9.47 eV)와 절연체의 큰 대역 (갭5~7eV)과 관련이 있는 것으로, 저지 BE의 증가 차단층의 강한 분극과 Pb(1)의 BE의 감소에 기여하는 것으로 외관, Pb(1)의 페르미 에너지를 낮추는 데 첨하는 다르다.

괘, 도 13의 EPR은 전류가 인가되지 않은 신호이고, 도 14의 EPR은 전류가 인가된 신호인데, 전자에 비하여서 신호 강도가 완전히 감소하고, 전기로트론 공전압 신호 강도가 대기로 감소하였다.

이를 뒤로 SQW의 관점에서 LK-99는 SQW를 보호하기 위해 전하 생존가를 공급하지 못하고 때문에 부분적으로 작은 SQW를 가져가야 정상할 수 있고, LK-99의 EPR 신호는 전자로트론 공명 신호로서 검출할 수 있지만, 전기로트론 공명 신호는 SQW가 완전 지면 검출할 수 있다고 합니다.

기밀, 흡수신호는 YBCO와 Bi2212에도 확인되는 것 처럼 매우 낮은 온도와 1000Oe 외부자기장(R. Janes, RS Liu, PP Edwards, AD Stevens, MCR Symons, Magnetic-Field Dependent Microwave-Absorption in High-Tc Superconducting Cuprates . J Chem Soc Faraday T 87 , 1209-1215(1991), M. Puri 외 , 다른 소결 및 산소 어닐링 시간으로 준비된 Yba2cu3o7-Delta 고온 초전도체의 마이크로파 흡수 특성화 J Chem Soc Faraday T 87 , 167-174 (1991)) 이하에서 나타나며, 그리고 1000 Oe 외부 자기장 이하의 신호는 초전도 전자에 의해 신호로 정상할 수 있다.

반응예5 - 열용량 측정

열용량은 열용량 측정장비(PPMS : Physical Property Measurement System, PPMS, Quantum Design, USA)로 예시2의 시료 65.26 mg을 이용하여 5 K에서 400 K까지 측정, 측정데이터(Raw data)는 시료로 포함된 Cu 2 S 벌크 및 나노시트의 열용량 기준으로 따라서(calibration) 되었습니다.

도 15는 열용량 데이터에서 계산된 디바이(Debye) 온도를 기록표, 도 16은 본이고 LK-99의 열용량 그래프이다.

상기 디바이(Debye) 온도는 하기 디바이 열용량 조절(식 2)을 넘어서 Pb 10-x Cu x (PO 4 ) 6 O식(x = 1)을 이용하여 열용량 데이터를 기준으로 계산하였다.

<식 2>

여기서 Cv는 열용량, r은 위로 당 금액수, N은 확인수, k는 볼츠만 보통, T는 측정온도, θ는 Debye 온도, x = θ/T, e는 자연상수이다.

도 15를 보면, 본에 계속 LK-99의 디바이(Debye) 온도가 약 184 K에서 1300 K로 반도체로 변화하고 있음을 보여주고 있어, 점차 전자-포논 예측 모델이 된다면 전이온도(Tc)를 계산할 수 없습니다.

즉, 상기 디바이 모델(Debye model)은 결정의 비열을 포논을 통해 모양을 만드는 데, 본 발명의 세라믹화합물은 이 예측 모델에 도달할 수 있으며 전자-포논 모델의 적용이 첨예해진다.

본 발명의 세라믹화합물 열용량은 수직이 이상적인 초전도 제작자를 보여주고 있다 기록된 열용량 오른쪽을 보여주는 것으로 상온 상압 초전도체의 열용량이 표시됨을 알 수 있다.

도 16에서 볼 수 있는, 청색선곡선(Debye temperature = 280 K)은 엷어진 경우타이트의 디바이 온도가 280 K라고 그런 기준으로 계산한 열용량 결과이고, 빨간색 선곡선(Debye temperature = 184.56 K)은 LK-99 의 스터(5 K)에서 디바이 온도(184.56 K)를 기준으로 계산된 열 용량 결과인데, LK-99의 열용량 팬던트(검은 선팬)는 LK-99의 화면구조가 특징적인 네트워크 부분에서 구리온 이상에 의해 정상 진동 모드가 제한되기 때문에 디바이 모델이 적용되지 않는 것을 지켜보고, 따라서 구리이온의 경우에 유발된 왜곡된 구조를 소지할 수 있음을 알 수 있습니다.

현상예6 - 자화율 측정

자화율은 초전도 양자간섭장치(Superconducting Quantum Interference Device(SQUID) 또는 Magnetic Property Measurement System(MPMS, Quantum Design, USA)로 시료 45.814 mg을 이용하여 300 K에서 -20,000G ~ +20,000G 범위에서 VSM 모드로 측정 ㄷ.

먼저 LK-99는 도 17, 18과 같이 300K에서 VSM 모드로 SQUID 측정을 통해 강자성 거동을 보입니다(도 17에서 바라보고 있으면 그때 도 18이 보입니다).

현상예7 - 자화율 측정

자화율은 초전도 발효간섭장치로 시료 45.814 mg을 이용하여 100 K에서-3,500G ~ +3,500G 범위에서 DC모드로 측정하였다.

도 19는 100K에서 DC 자기장 측정에 의한 마이스너 효과(0 Oe 근접, <±100 Oe), 강자성(<±500 Oe) 및 반자성(> ±500 Oe) 거동을 연결합니다.

즉, 본 발명의 세라믹화합물은 자기장 변화에 따른 자화율이 저자기장 영역(0~±50G)에서는 반자성을 보인다 ~±50G 이상에서 ~±500G의 자기장 영역에서 강자성 특성을 보이는 ±500G~±3500G에서는 다시 반자성(Molecular diamagnetism, 리뷰 반자성)을 보인다.

Mg2+ 도핑된 α-Fe 2 O 3 및 천연 dna와 같은 2-차원 전자기체(2-DEG) 시스템을 발생시키는 것은 반강자성 또는 강자성 거동을 찾고, GaAs/AlGaAs 시스템 및 dna의 2-DEG 시스템의 초전도 성 0.3K와 1K로 보고된 연구, LaAlO 3 /SrTiO 3 과 같은 2-DEG 시스템의 유지와 같은 구조를 입고 초전도체도 초전도 성과 자성을 보여주고, 본에 대해 LK-99 도 마찬가지로 자성 권리와 초전도성이 함께 강한 체질인 것으로 보인다.

물체예8 - 상자 전자성 공명 분광기 (EPR) 측정

EPR 신호는 100KHz의 AC 자기장 변조와 함께 1mW의 마이크로파(~9.4GHz)를 가 전선서 0G에서 시료에 200mA에서 100mA의 전류를 흘려주면서 EPR 신호를 채취하였다.

LK-99에 공급하는 현재의 양을 증가시켜서 0G에서 전자스핀공명기로 측정을 하면 도 20과 같은 흡수 신호가 전형적인데, 더 많은 현재가 공급될수록 흡수 신호가 더 크게 존재한다는 것을 확인할 수 있다.

0 G에서 마이크로파의 흡수는 초전도체의 권리로 바람직한 것으로, 따라서 0 G로 자기장을 고정한 상태에서 측정된 신호가 점점 더 찌는 것은 초전도성=쿠퍼쌍이 더 많이 생성되는 것을 의미할 수 있다.

따라서 이것은 LK-99의 초전도 노동우물 시스템에서 공급되는 전류에 의해 전자가 초전도 전자로 변환되어 더 많은 흡수가 설명하는 것으로 해석할 수 있다.

반복예9- 조절 가능한 자체부양 측정

예 2의 시료에 전선을 연결하고 시료를 잡아당겨서 전지 위에 전지를 펼쳤을 때와 전류를 흘렸을 때 시료가 생성된 자기부양되는 현상을 동영상으로 촬영하였다.

도 21은 LK-99 시료에 전류를 공급하지 않은 경우에 반자성 권리가 매우 작아서 자기부양 전지가 잘 안되어 스위치 위에 올려져 있는 것을 보여주고 받고 도 22는 공급된 전류에 의해 생성되고 증가된 쿠퍼쌍 로 인해 반자성 주장이 강화되어 자기부양 현상이 남을 알 수 있다.

결과적으로, 본에 따르면 LK-99가 복귀과 가까운 압력에서 초전도성을 나타내는 것은 LK-99의 구조적 고유성으로 인해 Pb(2) 2+ 이온의 Cu 2+ 이후에 발생하여 원인이 되는 것이 복귀 되지 않음 과 동시에 축척에 적절하게 전달되었다고 합니다.

즉, LK-99의 최 전부터 끝까지의 Pb(1)는 구조적으로 제한된 공간을 놔두고, 이 겁은 Cu 2+ 이온에 의해 생성된 위험과 변형에 맨손 영향을 막아 , 따라서, SQW는 상온 및 주변 압력에서 적절한 양의 반전에 의해 인산염과의 명시에 ​​생성될 수 있다.

이러한 전망대에서 CuO 및 Fe 기반 초전도체 시스템은 구조적 자유를 제한하고 SQW 생성을 완료하기 때문에 위해 적절한 온도 또는 압력이 필요하다.

본은 부분적으로 짧은 SQW 모델로 돈을 벌고 상온에서 초전도 퍼즐을 연구하는 데 매우 유용한 재료가 될 수 있으며, 모든 증거와 설명은 LK-99가 최초의 기후 및 주변 기압 초전도체라는 것을 확인합니다, LK-99 는 자석, 모터, 케이블, 접점부양열차, 전원 케이블, 통신 컴퓨터용 큐비트, THZ 안테나가 생겨 같은 다양한 응용 가능성을 가지고 할 수 있다.

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상온상압 초전도체(LK-99) 세라믹화합물 및 그 제조방법

상온상압 초전도체(LK-99) 세라믹화합물 및 그 제조방법 WO2023027537A1.pdf

2.48MB

[2023년 7월 22일 제출]

최초의 상온 상압 초전도체

이석배 , 김지훈 , 권영완

세계 최초로 변형 된 납-인회석(LK-99) 구조로 상압에서 작동하는 K, 127LK-99의 초전도성은 임계온도( ), 영저항, 임계전류( ), 임계자기장( ), 마이스너 효과로 증명된다. LK-99의 초전도성은 온도, 압력 등 외부요인이 아닌 미미한 부피수축(0.48%)에 의한 미세한 구조적 뒤틀림에 기인한다. 수축은 } 대체 에 의해 발생합니다.티씨≥ 400∘티씨나씨시간씨2 개 이상2 개 이상(2) Pb(2)-phosphate의 절연 네트워크에 있는 이온과 스트레스를 발생시킨다. 동시에 원통형 기둥의 Pb(1)로 전달되어 원통형 기둥 인터페이스가 왜곡되어 인터페이스에 초전도 양자 우물(SQW)이 생성됩니다. 열용량 결과는 새로운 모델이 LK-99의 초전도성을 설명하기에 적합함을 나타냈다. 계면에서 미세하게 왜곡된 구조가 유지되도록 하는 LK-99의 고유한 구조는 LK-99가 상온 및 상압에서 초전도성을 유지하고 발현하는 가장 중요한 요소입니다.

주제:	초전도성(cond-mat.supr-con)
인용:	arXiv:2307.12008 [cond-mat.supr-con]
	(또는 arXiv:2307.12008v1 [cond-mat.supr-con] 이 버전의 경우)
	https://doi.org/10.48550/arXiv.2307.12008자세히 알아보기

제출 내역발신: 권영완 [ 이메일 보기 ]
[v1] 2023년 7월 22일 토요일 07:51:19 UTC (2,620 KB)

[2023년 7월 22일에 제출( v1 ), 2023년 7월 29일에 최종 수정됨(이 버전, v2)]

초전도체 Pb Cu _x (PO _4 ) _6 O 상온 및 대기압에서의 부상과 메커니즘을 보여줍니다.10 - 엑스엑스46

이석배 , 김지훈 , 김현탁 , 임성연 , 안수민 , 아근호

Cu _x (PO _4 ) _6 O ( 0.9<x<1.1 ) 조성을 갖는 수정된 납 인회석 결정 구조인 LK-99라는 물질이 고체 상태 방법을 사용하여 합성되었습니다. 이 물질은 초전도 임계 온도 T_c 이상에서 Pb(6s1)의 옴 금속 특성 과 T_c 미만의 상온 및 대기압에서 초전도체의 마이스너 효과와 같은 부양 현상을 나타냅니다 . LK-99 샘플은 126.85 ^\circ 이상의 T_c를 보여줍니다.10 - 엑스엑스460.9 < x < 1.1티씨티씨티씨∘섭씨(400K). 이 물질의 상온 초전도 가능성은 두 가지 요인에 기인한다고 분석합니다. 첫 번째는 Pb를 Cu로 대체하여 절연체-금속 전이로 인한 부피 수축이고 두 번째는 현장 반발 쿨롱 상호 작용 강화입니다. T_c 에서 초전도 응축 으로 인한 1차원(D) 사슬( c축을 따라 Pb -O _{1/2} -Pb _2 ) 구조의 구조적 변형에 의해 . 실온 T_c 의 메커니즘은 1-D BR-BCS 이론으로 논의됩니다. 21 / 22티씨티씨

코멘트:	18페이지, 숫자 7개
주제:	초전도성(cond-mat.supr-con)
인용:	arXiv:2307.12037 [cond-mat.supr-con]
	(또는 arXiv:2307.12037v2 [cond-mat.supr-con] 이 버전의 경우)
	https://doi.org/10.48550/arXiv.2307.12037자세히 알아보기

제출 내역보낸 사람: 김현탁 [ 이메일 보기 ]
[v1] 2023년 7월 22일 토요일 10:11:28 UTC (936KB)
[v2] 2023년 7월 29일 토요일 01:53:47 UTC (1,014KB)

특허

http://kportal.kipris.or.kr/kportal/search/search_patent.do

 [특허실용] 7건 검색 (1 / 1 Pages)

공개 [1] 초전도체를 포함하는 저저항 세라믹화합물 (Ceramic composite with low resistance including superconductors)

• IPC : C01G 49/00 C01B 17/20 ....
• 출원인 : 주식회사 퀀텀에너지연구소
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공개 [2] 상온, 상압 초전도 세라믹화합물 및 그 제조방법 (Ceramic composite with superconductivities over room temperature at atmospheric condition and mehtod of manufacturing the ceramic composite)

• IPC : H10N 60/85 H10N 60/01 ....
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공개 [3] 상온, 상압 초전도 세라믹화합물 및 그 제조방법 (Ceramic composite with superconductivities over room temperature at atmospheric condition and mehtod of manufacturing the ceramic composite)

• IPC : H10N 60/85 C04B 35/447 ....
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• 공개일자 : 2023.03.06
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• 발명자 : 이석배 김지훈 권영완

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등록 [4] 초전도체를 포함하는 저저항 세라믹화합물의 제조방법 및 그 화합물 (Mehtod of manufacturing ceramic composite with low resistance including superconductors and the composite thereof)

• IPC : C01G 49/00 C01B 17/20 ....
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• 출원일자 : 2020.07.24
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• 대리인 : 지정훈
• 발명자 : 이석배 김지훈

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소멸 [5] 상전이조성물, 이의 제조방법 및 상전이조성물을 이용한 모듈의 제조방법 (Phase-transition composite, method of manufacturing thereof, method of manufacturing module with phase-transition composite)

• IPC : C09K 5/06 C09K 5/02
• 출원인 : 주식회사 퀀텀에너지연구소
• 출원번호 : 1020080121623
• 출원일자 : 2008.12.03
• 등록번호 : 1010347940000
• 등록일자 : 2011.05.06
• 공개번호 : 1020100063215
• 공개일자 : 2010.06.11
• 대리인 : 허남정
• 발명자 : 이석배

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취하 [6] 다중상전이 물질을 이용한 고효율 열이동-분산 시스템 (The high efficient heat-transfer and heat-dispersion system using multi phase transitional material(MPTM))

• IPC : F21V 29/00 H01L 23/34 ....
• 출원인 : 주식회사 퀀텀에너지연구소
• 출원번호 : 1020120075306
• 출원일자 : 2012.07.11
• 등록번호 :
• 등록일자 :
• 공개번호 : 1020140008136
• 공개일자 : 2014.01.21
• 대리인 : 지정훈
• 발명자 : 이석배

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취하 [7] 상전이조성물, 이의 제조방법 및 상전이조성물을 이용한 모듈의 제조방법, 그리고 상전이조성물용 모듈 (Phase-transite composition, method of manufacturing thereof, method of manufacturing module with phase-transition composition and module for phase-transition composite)

• IPC : C09K 5/06 H05K 7/20
• 출원인 : 주식회사 퀀텀에너지연구소
• 출원번호 : 1020110024460
• 출원일자 : 2011.03.18
• 등록번호 :
• 등록일자 :
• 공개번호 : 1020110053405
• 공개일자 : 2011.05.23
• 대리인 : 허남정
• 발명자 : 이석배

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LK-99

Search | arXiv e-print repository

[2023년 7월 31일 제출]

가능한 상온 초전도체 LK-99의 합성:Pb Cu(PO ) O946

Kapil Kumar , NK Karn , VPS Awana (CSIR-NPL, 인도)

상온 초전도체에 대한 탐구는 1911년 처음 시작된 이래로 과학자와 물리학자들을 괴롭혀 왔습니다. 실온 초전도성에 대해 이미 몇 가지 주장이 있었지만 실험실 전체에서 검증되거나 재현되지 않았습니다. cuprates는 초기의 높은 전이 온도 초전도체였으며 구리가 다시 한 번 마술을 부린 것 같습니다. K 이상의 나타내는 Lead Apatite 기반 화합물 LK-99를 합성했습니다. 화합물의 초전도 특성은 저항률(R = 0) 및 에서의 반자성 . 그러나 열용량(C 에서 명백한 전이를 나타내지 않았습니다.씨∘씨피씨. LK-99의 상온 초전도성에 대한 흥미로운 주장에 영감을 받아, 이 기사에서는 [1,2]에서 보고된 것과 동일한 열처리를 따라 LK-99의 다결정 샘플을 2단계로 합성하는 방법을 보고합니다. 전구체 방법. 각각의 열처리 후 수행되는 X선 회절(XRD) 측정을 통해 위상을 확인합니다. 상온 반자성은 샘플 위의 영구 자석 부상 또는 그 반대의 경우에 의해 입증되지 않습니다. 다양하게 합성된 샘플에서 벌크 초전도성을 확인하기 위한 추가 측정이 진행 중입니다. 현재 LK-99 샘플에 대한 우리의 결과는 925∘C는 현재 실온에서 벌크 초전도성의 출현을 승인하지 않습니다. 다른 열처리에 대한 추가 연구가 아직 진행 중입니다.

코멘트:	짧은 교감: 8페이지 텍스트 + 무화과: 의견/제안 환영
주제:	초전도성(cond-mat.supr-con) ; 재료 과학(cond-mat.mtrl-sci); 강하게 상관된 전자(cond-mat.str-el)
인용:	arXiv:2307.16402 [cond-mat.supr-con]
	(또는 이 버전의 경우 arXiv:2307.16402v1 [cond-mat.supr-con] )
	https://doi.org/10.48550/arXiv.2307.16402자세히 알아보기

제출 내역보낸 사람: Veer Awana Dr [ 이메일 보기 ]
[v1] 2023년 7월 31일 월요일 04:41:20 UTC(849KB)

[2023년 8월 2일 제출]

LK-99 재료에 대한 이론적 통찰력

J. 카베자스-에스카레스 , NF 바레라 , C. 카르데나스 , F. 무뇨즈

물리학 아카이브(arXiv)의 최근 프리프린트 두 건은 Cu로 대체된 인회석 재료(LK-99라고 함)가 실온 및 압력에서 초전도성을 나타낸다는 실험적 증거를 주장하면서 주목을 받았습니다. 이것이 사실이라면 LK-99는 초전도체의 성배가 될 것이다. 이 작업에서 우리는 LK-99의 전자 구조의 몇 가지 주요 기능을 밝히기 위해 밀도 함수 이론 계산을 사용했습니다. 우리 계산의 일부 측면은 예비적이지만 우리는 다음을 발견했습니다. i) 재료의 바닥 상태에서 강자성 및 반강자성 구성이 실질적으로 퇴화됨, ii) 재료가 금속성, iii) Cu 원자가 격자에서 호스트인 것처럼 보임 다른 원자에 대한 공유 결합이 없고 페르미 레벨 주변에서 거의 평평한 밴드를 지원합니다.

주제:	초전도성(cond-mat.supr-con) ; 재료 과학(cond-mat.mtrl-sci)
인용:	arXiv:2308.01135 [cond-mat.supr-con]
	(또는 arXiv:2308.01135v1 [cond-mat.supr-con] 이 버전의 경우)
	https://doi.org/10.48550/arXiv.2308.01135자세히 알아보기

제출 내역보낸 사람: Francisco Munoz [ 이메일 보기 ]
[v1] 2023년 8월 2일 수요일 13:28:10 UTC(9,266KB)

[2023년 8월 3일 제출]

LK-99의 성공적인 성장과 상온 상압 자기부상

우하오 , 리양 , 비첸 샤오 , 창하이신

최근 이숙배 외. 실온 에서 수정된 납 인회석 결정(LK-99)의 대기 초전도성에 대한 고무적인 실험 결과를 보고 했습니다 .). 이들은 합성된 LK-99 물질이 초전도체의 마이스너 부상 현상을 나타내며 400K 이상의 초전도 전이 온도(Tc)를 갖는다고 주장했다. 상온에서 이석배의 샘플보다 더 큰 부상각으로 자기부상되었다. 가까운 미래에 실온, 비접촉 초전도 자기 부상의 진정한 잠재력을 실현할 것으로 기대됩니다.

주제:	초전도성(cond-mat.supr-con)
인용:	arXiv:2308.01516 [cond-mat.supr-con]
	(또는 이 버전의 경우 arXiv:2308.01516v1 [cond-mat.supr-con] )
	https://doi.org/10.48550/arXiv.2308.01516자세히 알아보기

제출 내역보낸 사람: Haixin Chang [ 이메일 보기 ]
[v1] 2023년 8월 3일 목요일 03:13:51 UTC(598KB)

[2023년 8월 1일에 제출( v1 ), 2023년 8월 2일에 최종 수정됨(이 버전, v2)]

추정되는 상온 초전도체 Pb Cu(PO _4 ) _6 O 의 전자 구조946

Liang Si , Karsten Held

최근 논문[Lee {\em et al.}, J. Korean Cryt. 성장 크리스탈. 기술 {\bf 33}, 61 (2023)]은 Pb Cu (PO ) O with , LK-99로 명명된 LK-99가 주변 압력. 를 사용한 부피 수축을 보여줍니다. 이는 실험과 매우 유사합니다. DFT 전자 구조는 Fermi 에너지를 교차하는 두 개의 매우 평평한 Cu 밴드가 있는 구성 의이것은 Pb Cu(PO )10 - 엑스엑스46엑스 ≈ 1엑스2 개 이상삼디9946O는 초상관 영역에서 도핑 없이 Mott 또는 전하 이동 절연체임을 시사합니다. 도핑된 경우 이러한 전자 구조는 플랫 밴드 초전도 또는 상관 강화 전자 포논 메커니즘을 지원할 수 있는 반면 초전도가 없는 반자석은 우리의 결과와 다소 상충되는 것으로 보입니다.

코멘트:	보충 자료를 포함한 10페이지, 그림 7개 및 표 4개
주제:	초전도성(cond-mat.supr-con) ; 재료 과학(cond-mat.mtrl-sci); 강하게 상관된 전자(cond-mat.str-el)
인용:	arXiv:2308.00676 [cond-mat.supr-con]
	(또는 arXiv:2308.00676v2 [cond-mat.supr-con] 이 버전의 경우)
	https://doi.org/10.48550/arXiv.2308.00676자세히 알아보기

제출 내역보낸 사람: Liang Si [ 이메일 보기 ]
[v1] 2023년 8월 1일 화요일 17:21:48 UTC(1,572KB)
[v2] 2023년 8월 2일 수요일 14:09:59 UTC(1,572KB)

[2023년 7월 31일에 제출( v1 ), 2023년 8월 3일에 최종 수정됨(이 버전, v2)]

구리로 치환된 인산납 아파타이트에서 상관관계가 있는 분리된 플랫 밴드의 기원

시네이드 M. 그리핀

Cu로 치환된 인회석('LK99')의 상압에서 상온 초전도성에 대한 최근 보고서는 고온 초전도성을 허용할 수 있는 재료 및 메커니즘에 대한 이해에 대한 관심을 불러일으켰습니다. 여기에서 저는 Cu로 대체된 인산납 인회석에 대한 밀도 함수 이론 계산을 수행하여 이미 확립된 초전도체 제품군에서 높은 전이 온도의 일반적인 서명인 Fermi 레벨에서 상관된 격리된 플랫 밴드를 식별합니다. 나는 Cu 이온에 의해 유도된 구조적 왜곡과 Pb 고립 쌍으로부터의 키랄 전하 밀도 파동에서 발생하는 이러한 고립된 밴드의 기원을 설명합니다. 이러한 결과는 최소 2대역 모델이 이 시스템에서 많은 저에너지 물리학을 포함할 수 있음을 시사합니다. 마지막으로,

주제:	초전도성(cond-mat.supr-con) ; 재료 과학(cond-mat.mtrl-sci); 강하게 상관된 전자(cond-mat.str-el)
인용:	arXiv:2307.16892 [cond-mat.supr-con]
	(또는 이 버전의 경우 arXiv:2307.16892v2 [cond-mat.supr-con] )
	https://doi.org/10.48550/arXiv.2307.16892자세히 알아보기

제출 내역보낸 사람: Sinéad Griffin Dr. [ 이메일 보기 ]
[v1] 2023년 7월 31일 월요일 17:58:17 UTC(7,923KB)
[v2] 2023년 8월 3일 목요일 17:57:55 UTC(16,393KB)

[2023년 8월 3일 제출]

구성 Pb의 가능한 초전도성에 대한 몇 가지 설명9컵6영형25

P. Abramian , A. Kuzanyan , V. Nikoghosyan , S. Teknowijoyo , A. Gulian

LK-99라는 물질, 조성이 Pb인 수정된 납 인회석 결정 구조10 - 엑스Cu엑스(포4)6오(0.9 < x < 1.1)은 상압에서 상온 이상의 초전도체로 보고되었습니다. 다른 그룹이 원래 결과를 재현하는 것이 간단할 것이라고 기대하기는 어렵습니다. 여기에서 성공에 도움이 될 수 있는 몇 가지 설명을 제공합니다.

주제:	초전도성(cond-mat.supr-con)
인용:	arXiv:2308.01723 [cond-mat.supr-con]
	(또는 이 버전의 경우 arXiv:2308.01723v1 [cond-mat.supr-con] )
	https://doi.org/10.48550/arXiv.2308.01723자세히 알아보기

제출 내역보낸 사람: Serafim Teknowijoyo [ 이메일 보기 ]
[v1] 2023년 8월 3일 목요일 12:32:03 UTC(933KB)