로옴전자, SiC 이용한 전력용 MOSFET 개발

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로옴전자, SiC 이용한 전력용 MOSFET 개발

로옴전자코리아(대표 김중언 http://www.rohm.co.kr)는 로옴이 실리콘카바이드(SiC)를 이용해 종래 실리콘(Si)을 사용했을 때보다 손실을 최대 40분의 1까지 줄일 수 있는 전력용 금속산화막 실리콘 전계효과 트랜지스터(MOSFET·사진)를 개발했다고 30일 밝혔다.

신제품은 내압1000V, 작동시 저항 7.15mΩ/㎠ 성능으로 400∼1000V대의 고내압 전력용 MOSFET으로 세계최소의 ‘ON저항’을 실현시켰다 회사 측은 설명했다. SiC로 만듦에 따라 종래 실리콘 재료에 비해 방열성이 우수, 냉각 시스템의 소형·경량화와 비용 절감을 가능하게 해준다고 강조했다.

회사 관계자는 “저손실 MOSFET으로 인해 전원 기기의 소형화, 고휴율화가 가능해졌으며 또한 전기 자동차 등에 응용하면 주행 거리를 대폭 개선할 수 있다”고 말했다.

로옴 측은 내년 상반기 중 초기 제품을 만들고 오는 2006년에 상용 제품을 내놓을 계획이다.

김규태기자@전자신문, star@

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