*Varistor (Variable Register; 배리스터)
Varistor란 가해지는 전압값에 따라 R값이 가변되는 가변저항소자를 말한다.
전압값이 변함에 따라 저항값이 변하기 때문에, 순간적인 과전압으로부터 전자기기와 회로를 보호하는 surge protector용으로 많이 사용되는 반도체 소자이다.
[야후 백과사전 참조]
배리어블 레지스터(variable resistor)의 약칭이다. 가해지는 전압의 극성에 관계없이, 전압의 크기만에 의해 저항이 정해지는 대칭형 배리스터와, 가해지는 전압의 극성에 의해서 달라지는 비대칭형 배리스터가 있다.
비대칭형 배리스터는 셀렌 ․게르마늄 ․실리콘 등의 반도체다이오드가 유용되며, 또 대칭형에는 실리콘카바이드나 비대칭형을 2개 조합해서 사용한다. 전기접점(電氣接點)의 불꽃을 소거하거나 반도체 정류기 ․트랜지스터 등의 서지전압(surge voltage)으로부터의 보호에 사용한다.
*VCO (전압제어발진기 : Voltage Controlled Oscillator)
입력전압을 조절하여 출력주파수 자체를 바꿀 수 있는 발진기회로이다.
즉 FET DC 바이어스를 조정 혹은 별도의 control voltage를 만들어서 그 전압을 조절함으로써 출력 주파수를 변화시킨다.
채널을 가지는 무선통신에서는 경우에 따라 발진기가 여러 주파수를 만들어내야 하는 경우가 많기 때문에, 단순한 Oscillator보다는 조절이 가능한 VCO를 사용하는 경우가 많다. 또는 VCO로 구성하고 feedback을 잘 걸어서 출력 주파수를 한 곳에 안정화시키기도 한다.
실제로 이동통신에서의 주파수원으로는 VCO보다 더욱 정교하게 주파수조절이 가능한 PLL방식을 주로 사용한다. 여기서 VCO는 PLL의 핵심 요소로서 동작하게 된다.
발진기는 직류 전력을 교류 전력으로 변환하는 에너지 변환 회로로, 오늘날 대부분의 초고주파용 발진기들은 GaAs FET나 BJT 능동 소자를 사용하여 구현되고 있다.
이들은 발진기 내에서 발진 조건인 부성 저항을 제공하는 역할을 한다. 부성 저항을 갖는 부분은 공진기와 결합되며, 트랜지스터의 부하 저항에 연결되어있고, 외부적인 궤환 회로와 연결되어 있다. 이렇게 구성된 발진기는 발진조건을 만나게 되면 공진기의 공진 주파수에서 발진이 일어나며, 부하 저항에 교류 전력이 전달되게 된다.
발진기의 변환 효율은 직류 전력과 부하에 전달되는 교류 전력의 비로 표현된다.
발진기의 발진 주파수는 공진기의 공진 주파수에 종속되며 이를 외부에서 인위적으로 변화시키게되면, 발진기의 발진 주파수는 공진기의 공진 주파수를 따라 변하게 된다 이것이 바로 전압제어발진기의 원리이다.
사용되는 공진기로는 LC 공진기, 유전체 공진기, Yittrium Iron Garnet(YIG :Y2Fe2(FeO3)3) 등 여러 가지 종류가 있는데, DR의 경우 가격이 저렴하고 높은 Q 값을 갖지만, 집적화가 용이하지 않고, YIG의 경우 옥타브 이상의 넓은 조정 범위를 가지지만, 실온에서 제어가 어렵고, 제조 공정 상의 어려움으로 인해 가격이 매우 비싸다. LC 공진기는 일반적으로 저렴하면서 구현이 용이하고 소형이므로 그다지 넓은 밴드를 필요로 하지 않는 곳에 많이 사용된다.
LC 공진기는 인덕터와 커패시터로 구성되는데, 주로 가변 커패시터를 사용하여 공진 주파수를 변경하며, 공진기의 가변 대역에 의하여 발진기의 Bandwidth가 결정된다.
가변 커패시터는 주로 버랙터 다이오드를 사용하는데, 직류 역 바이어스를 증가시키면 다이오드의 공간 전하영역의 길이가 증가하게 되고 이에 기인한 커패시턴스의 변화가 유도되는 소자이다.