에너지 띠 이론 관련 질문있습니다.

[개굴개골2]

------♡ 서로 배려하는 물화생지 ♡------ (지우지 마세용)

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그림에서 처럼 반도체 도핑시

n형 반도체는 주개 준위가 전도띠 바로 아래에

p형 반도체는 받개 준위가 원자가띠 바로 위에 형성이 되는데 

그 이유가 무엇일까요??

[창병]

전도띠와 원자가 띠는 반도체의 에너지 준위이고 새롭게 생성되는 준위는 불순물 원소의 준위로 알고있습니다.

[불사]

새로운 에너지 준위는 도핑원자의 이온화 에너지에 관련되어있는걸로 알고있습니다. 학생들에게는 정성적으로 n형의 경우 전자하나가 약하게 붙잡혀있어 적은에너지로도 쉽게 전도띠로 간다 홀의 경우 원자가띠에 있는 전자가 작은 에너지로도 이동가능하다 식으로 알려주고있습니다

[물지]

제가 알기론 저 준위가 아마 전자나 양공 같은 페르미온이 존재할 확률이 1/2이 되는 준위인 페르미 준위라고 알고 있는데 원래 실리콘으로만 결합된 진성 반도체의 경우에는 페르미 준위가 금지된 영역 한가운데에 있습니다. N형의 경우에는 원자가띠가 꽉차서 잉여 전자가 다음 에너지 띠인 전도띠로 쉽게 이동할 수 있기 때문에 금지된 영역 가운데 기준으로 전도띠 근처에 존재할 확률이 더 높게 돼서 확률이 1/2이 되는 페르미 준위도 전도띠 근처에 위치하게 되고, P형의 경우에는 원자가띠에 있던 전자가 양공이 있던 준위로 쉽게 이동할 수 있기에 금지된 영역 가운데 기준으로 원자가띠 근처에서 양공또는 전자가 발견될 확률이 높기에 페르미 준위도 원자가띠 근처에 형성된다고 알고 있습니다. 더 자세한 내용은 저도 부족해서 모르겠네요…ㅎㅎ