첫댓글반대로 알고 계시네요. n형이 높습니다. 진성반도체를 도핑하면 도핑하는 원소에 따라 에너지준위가 추가됩니다. p형반도체는 3족원소를 도핑하면 valence band 위로 acceptor band가 생겨나고 그 사이에 fermi energy level이 생겨납니다. 즉, 전자가 억셉터레벨로 점프하면서 양공이 생겨날 수 있다는 거구요, n형은 5족원소를 도핑하면서 도너레벨이 전도띠(conduction band) 바로 아래에 생겨납니다. 도핑한 원소의 전자가 이 도너레벨에 존재하고 이 전자가 전도띠로 올라가면서 전류가 흐릅니다. 그러니 n형이 에너지 준위가 높은게 맞습니다. 첨부하신 그림도 그렇게 나와있구요.
p형반도체는 valence band 위로 acceptor band가 생겨나고, n형은 도너레벨이 전도띠(conduction band) 바로 아래에 생겨납니다. 그러니 밸런스밴드는 p가 좀 높고, 컨덕션밴드는 n이 더 낮죠. 낮아진 컨덕션 밴드의 전자가 높아진 억셉터 밴드로 떨어지는 겁니다.
저도 말씀을 헷갈리게 해 드렸는데, n형에 높은 에너지 띠에 있는 전자가 있고, 그 전자가 p형으로 떨어지는 겁니다.
n형이 에너지 준위가 높다고 얘기 하는 거 보다, n형에 높은 에너지를 갖는 전자가 있다고 말씀드리는 게 맞습니다.
첫댓글 반대로 알고 계시네요. n형이 높습니다. 진성반도체를 도핑하면 도핑하는 원소에 따라 에너지준위가 추가됩니다. p형반도체는 3족원소를 도핑하면 valence band 위로 acceptor band가 생겨나고 그 사이에 fermi energy level이 생겨납니다. 즉, 전자가 억셉터레벨로 점프하면서 양공이 생겨날 수 있다는 거구요, n형은 5족원소를 도핑하면서 도너레벨이 전도띠(conduction band) 바로 아래에 생겨납니다. 도핑한 원소의 전자가 이 도너레벨에 존재하고 이 전자가 전도띠로 올라가면서 전류가 흐릅니다. 그러니 n형이 에너지 준위가 높은게 맞습니다. 첨부하신 그림도 그렇게 나와있구요.
무슨소리인지 확실히 이해가 안가서 그러는데요.ㅠㅠ 1번째 그림을 보면 valence band가 p형반도체가 n형반도체보다 높게 그려져 있는데 제가 멀 착각하는건가요?
p형반도체는 valence band 위로 acceptor band가 생겨나고, n형은 도너레벨이 전도띠(conduction band) 바로 아래에 생겨납니다. 그러니 밸런스밴드는 p가 좀 높고, 컨덕션밴드는 n이 더 낮죠. 낮아진 컨덕션 밴드의 전자가 높아진 억셉터 밴드로 떨어지는 겁니다.
저도 말씀을 헷갈리게 해 드렸는데, n형에 높은 에너지 띠에 있는 전자가 있고, 그 전자가 p형으로 떨어지는 겁니다.
n형이 에너지 준위가 높다고 얘기 하는 거 보다, n형에 높은 에너지를 갖는 전자가 있다고 말씀드리는 게 맞습니다.
아하...ㅎㅎ 감사합니다. 이제 이해가되네요^^;;