Cr과 Cu의 바닥상태 전자배치는 [Ar]4s2 3d4 와 [Ar]4s2 3d9로 예상되는데, 실제로는 [Ar]4s1 3d5 와 [Ar]4s1 3d10 입니다.
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이렇게 되는 이유가 d오비탈이 반만 차거나 꽉차면 특별히 안정한 효과가 있기 때문이라고 되어 있는데..그 이유가 뭘까요?
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첫댓글4s2로 된다면 s오비탈에 전자 2개가 있으므로 전자 반발이 있고, 그래서 d오비탈에 비어 있어서 그리고 옮겨가서 안정화를 꽤하려고 합니다. 또한 s오비탈의 가로막기 효과가 크므로 전자가 d로 옮겨 간 것입니다. slater규칙과 pauli의 배타원리를 잘 생각해 보세요~
첫댓글 4s2로 된다면 s오비탈에 전자 2개가 있으므로 전자 반발이 있고, 그래서 d오비탈에 비어 있어서 그리고 옮겨가서 안정화를 꽤하려고 합니다. 또한 s오비탈의 가로막기 효과가 크므로 전자가 d로 옮겨 간 것입니다. slater규칙과 pauli의 배타원리를 잘 생각해 보세요~
에너지적으로 전자 스핀이 최대 다중도를 가지는 배치가 될 때 가장 안정하게 됩니다..(Hund 의 규칙)